[發明專利]半導體集成電路裝置

在審

• 申請號: 202080072108.5
• 申請日: 2020-10-13
• 公開（公告）號: CN114556563A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 中岡康廣
• 申請（專利權）人: 株式會社索思未來
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/02;B82Y40/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 柯瑞京

1.一種半導體集成電路裝置，其特征在于：所述半導體集成電路裝置包括多個單元行，多個所述單元行分別包括沿第一方向排列著布置的多個標準單元，

多個所述單元行之一即第一單元行包括第一標準單元和第二標準單元，所述第一標準單元具有邏輯功能，所述第二標準單元布置于所述第一單元行的兩端中的至少一端，且不具有邏輯功能，

所述第一標準單元包括第一區域、第二區域、第一納米片、第二納米片、第一柵極布線以及第二柵極布線，

所述第一區域是第一導電型晶體管的形成區域，

所述第二區域是與所述第一導電型不同的第二導電型晶體管的形成區域，所述第二區域在與所述第一方向垂直的第二方向上與所述第一區域相鄰，

所述第一納米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第一區域，

所述第二納米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第二區域，

所述第一柵極布線沿所述第二方向延伸，且包圍所述第一納米片的所述第二方向、以及與所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上的外周，

所述第二柵極布線沿所述第二方向延伸，且包圍所述第二納米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第二標準單元包括第三納米片、第四納米片、第一虛設柵極布線以及第二虛設柵極布線，

所述第三納米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在與所述第一納米片相同的位置處，

所述第四納米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在與所述第二納米片相同的位置處，

所述第一虛設柵極布線沿所述第二方向延伸，且包圍所述第三納米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第二虛設柵極布線沿所述第二方向延伸，且包圍所述第四納米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第一納米片的所述第二方向上的一側即第一側的面從所述第一柵極布線露出，

所述第二納米片的所述第二方向上的一側即第二側的面從所述第二柵極布線露出，

所述第三納米片的所述第二方向上的所述第一側的面從所述第一虛設柵極布線露出，

所述第四納米片的所述第二方向上的所述第二側的面從所述第二虛設柵極布線露出。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于：

所述第一側是所述第一納米片的靠所述第二區域的一側，

所述第二側是所述第二納米片的靠所述第一區域的一側。

3.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于：

所述第一側是所述第一納米片的與所述第二區域相反的一側，

所述第二側是所述第二納米片的與所述第一區域相反的一側。

4.根據權利要求1所述的半導體集成電路裝置，其特征在于：

所述第一標準單元還包括第五納米片和第六納米片，

所述第五納米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第一區域，

所述第六納米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第二區域，

所述第二標準單元還包括第七納米片和第八納米片，

所述第七納米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在與所述第五納米片相同的位置處，

所述第八納米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在與所述第六納米片相同的位置處，

所述第一柵極布線包圍所述第五納米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第二柵極布線包圍所述第六納米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第一虛設柵極布線包圍所述第七納米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第二虛設柵極布線包圍所述第八納米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，

所述第五納米片的所述第二方向上的與所述第一側相反的一側的面從所述第一柵極布線露出，

所述第六納米片的所述第二方向上的與所述第二側相反的一側的面從所述第二柵極布線露出，

所述第七納米片的所述第二方向上的與所述第一側相反的一側的面從所述第一虛設柵極布線露出，

所述第八納米片的所述第二方向上的與所述第二側相反的一側的面從所述第二虛設柵極布線露出。