[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202080069132.3
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN114503278A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 那須賢太郎;吉岡峰明
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/423;H01L27/088
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;鄭毅

1.一種半導體裝置，其特征在于，包含：

半導體芯片，其具有主面；

第一導電型的漂移層，其形成于所述主面的表層部；

溝槽柵極結構，其以與所述漂移層接觸的方式形成于所述主面；

第二導電型的溝道區域，其以覆蓋所述溝槽柵極結構的側壁的方式形成于所述漂移層；以及

第一源極漏極區域及第二源極漏極區域，它們以隔著所述溝道區域彼此對置的方式空開間隔地形成在所述漂移層中沿著所述溝槽柵極結構的側壁的區域。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述溝道區域還覆蓋所述溝槽柵極結構的底壁。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，還包含：

第一pn結部，其形成在所述溝道區域和所述第一源極漏極區域之間的區域；以及

第二pn結部，其形成在所述溝道區域和所述第二源極漏極區域之間的區域，且經由所述溝道區域與所述第一pn結部反向偏壓連接。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

從所述溝道區域空開間隔地形成所述第一源極漏極區域及所述第二源極漏極區域。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

從所述溝槽柵極結構空開間隔地形成所述第一源極漏極區域及所述第二源極漏極區域。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述溝道區域與所述溝槽柵極結構交叉。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述溝槽柵極結構在俯視下呈帶狀延伸，

沿著所述溝槽柵極結構空開間隔地形成多個所述溝道區域，

多個所述第一源極漏極區域和多個所述第二源極漏極區域以夾著一個所述溝道區域的方式沿著所述溝槽柵極結構交替地形成。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

空開間隔地形成多個所述溝槽柵極結構，

所述溝道區域、所述第一源極漏極區域及所述第二源極漏極區域形成在多個所述溝槽柵極結構之間的區域。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述溝槽柵極結構在俯視下形成為環狀，

所述溝道區域、所述第一源極漏極區域及所述第二源極漏極區域形成在被所述溝槽柵極結構圍繞的區域內。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

向所述第一源極漏極區域施加第一電壓，

向所述第二源極漏極區域施加與所述第一電壓不同的第二電壓。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

向所述溝道區域施加基準電壓。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，還包含：

第一端子，其形成在所述主面上并與所述溝槽柵極結構導通；

第二端子，其形成在所述主面上并與所述溝道區域導通；

第三端子，其形成在所述主面上并與所述第一源極漏極區域導通；以及

第四端子，其形成在所述主面上并與所述第二源極漏極區域導通。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，

還包含覆蓋所述主面的絕緣層，

所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子及所述第四端子形成在所述絕緣層上。