[發明專利]用于DAX光柵的穩定頂部橋制造

在審

• 申請號: 202080068056.4
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN114467022A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: T·克勒;A·亞羅申科;G·福格特米爾;B·R·戴維;J·莫爾;P·R·M·范比爾斯;P·邁爾;M·里希特;J·舒爾茨
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: G01N23/041
• 分類號: G01N23/041;G01N23/046
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 孟杰雄

1.一種用于產生成像裝置的X射線光柵的方法(100)，所述成像裝置用于X射線暗場成像和/或X射線相襯成像，所述方法包括以下步驟：

a)在平坦樣本(16)上產生(110)具有多個周期性布置的光柵網(12)和光柵開口(14)的抗蝕劑負光柵(10)；

b)通過以下操作通過電鍍來填充(120)所述平坦樣本上的所述光柵開口：持續進行所述電鍍直到所述光柵網的高度以形成光柵薄片(18)；

c)在所述抗蝕劑負光柵的頂部(22)上處理(130)窗體(26)，所述窗體使得能夠引入實質上垂直于所述光柵網的頂部橋(24)；

d)使所述抗蝕劑負光柵彎曲(140)到期望半徑；并且

e)通過電鍍來填充(150)所述窗體以在使所述抗蝕劑負光柵彎曲之后形成所述頂部橋。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

-在執行所述電鍍之后移除所述光柵薄片之間的所述抗蝕劑負光柵。

3.根據權利要求1或2所述的方法，

其中，在步驟d)中，提供允許使所述抗蝕劑負光柵精確彎曲到所述期望半徑的框架。

4.根據權利要求3所述的方法，

其中，所述框架的所述彎曲半徑與所述成像裝置中靠近于X射線管的安裝位置兼容。

5.根據權利要求3或4所述的方法，

其中，所述框架是非導電材料的，或者所述框架完全由非導電材料覆蓋。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，

其中，步驟e)還包括選擇用于所述電鍍的溫度，其中，選定的溫度被選擇為使得在所述成像裝置中的所述X射線光柵的操作條件下，所述X射線光柵的幾何結構變化和/或機械應力最小或接近最小。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，

其中，所述頂部橋被成形為使得在所述成像裝置中的所述X射線光柵的操作條件下，由于所述頂部橋造成的機械應力最小或接近最小。

8.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，

其中，所述頂部橋和所述光柵薄片是由相同材料造出的。

9.根據權利要求1至7中的任一項所述的方法，

其中，所述光柵薄片是以高X射線吸收材料來電鍍的；并且

其中，所述頂部橋是以低X射線吸收材料來電鍍的。

10.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，

其中，所述抗蝕劑負光柵包括用于使所述網穩定的多個穩定結構。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中，所述穩定結構包括橋結構和/或太陽光線結構。

12.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，

其中，步驟d)中的所述彎曲是正彎曲或負彎曲。

13.一種由根據權利要求1所述的方法產生的微結構。

14.一種用于捕獲對象的圖像的成像裝置(200)，包括：

-X射線源(210)；

-源光柵(G0)；

-衍射光柵(G1)，其用于使從所述X射線源發射的X射線衍射；

-吸收光柵(G2)，其用于吸收由所述衍射光柵衍射的所述X射線的部分；以及

-探測器(220)，其用于探測已經穿過所述吸收光柵的所述X射線；

其中，所述源光柵、所述衍射光柵和所述吸收光柵中的至少一項包括根據權利要求13所述的微結構。

15.一種用于執行X射線相襯和/或暗場成像的方法(300)，包括：

-將對象(50)定位(310)在根據權利要求14所述的成像裝置的所述源光柵(G0)與所述衍射光柵(G1)之間或者所述衍射光柵(G1)與所述吸收光柵(G2)之間；

-將X射線射束(52)發射(320)到所述對象上；并且

-探測(330)已經穿過所述對象、所述成像裝置的所述源光柵、所述衍射光柵和所述吸收光柵的所述X射線射束以用于采集圖像數據。