[發(fā)明專利]用于N型太陽能電池的導(dǎo)電漿料,N型太陽能電池的制造方法以及N型太陽能電池在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080064792.2 | 申請日: | 2020-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN114430851A | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 施哲修 | 申請(專利權(quán))人: | 太陽帕斯特有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01B1/16 | 分類號: | H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 孔翰 |
| 地址: | 美國得拉華*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 太陽能電池 導(dǎo)電 漿料 制造 方法 以及 | ||
一種用于N型太陽能電池的導(dǎo)電漿料,其包括(a)70wt%至99.75wt%的銀粉;(b)0.1wt%至3.0wt%的鋁粉,其中,所述鋁粉的D50不大于3μm;(c)5wt%至10wt%的玻璃料;以及(d)3wt%至30wt%的有機(jī)介質(zhì);其中,wt%基于漿料組合物的總重量計(jì)算。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池電極,并且特別涉及形成于N型襯底上的太陽能電池電極。
背景技術(shù)
在太陽能電池產(chǎn)業(yè)中,為了追求更高的發(fā)電效率而進(jìn)行日益激烈的競爭,而隨著效率變得接近于理論極限,人們甚至?xí)非髮⑿侍岣?.1%。
最近,人們對N型太陽能電池的關(guān)注越來越多,特別是推出了能顯著提高電池的整體效率的隧穿氧化鈍化接觸(Tunnel Oxide Passivated Contacts,TOPCon)技術(shù),其中,該技術(shù)在電池的正面采用p型摻雜。
US20150357489公開了一種用于N型太陽能電池的漿料,其包括Ag顆粒;Al顆粒,其含量基于所述漿料的總重量計(jì)算,含量在約0.01wt%至約5wt%范圍內(nèi);載體;玻璃料,其含量基于所述漿料的總重量計(jì)算在約0.1wt%至約5wt%的范圍內(nèi),其中,所述玻璃料包括具有玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tgl的第一玻璃料和具有玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tgf的第二玻璃料,其中,Tgf與Tgl相差至少約10℃;以及添加劑。
US20150333197公開了一種用于N型太陽能電池的導(dǎo)電漿料,其包括(i)60wt%至95wt%的導(dǎo)電粉末,(ii)0.4wt%至3.0wt%的鋁粉,(iii)0.1wt%至10wt%的玻璃料,(iv)3wt%至30wt%的有機(jī)介質(zhì),(v)0.4wt%至1.7wt%的酰胺化合物,其中,wt%基于所述導(dǎo)電漿料的總重量計(jì)算。
發(fā)明內(nèi)容
一方面,本發(fā)明涉及一種用于N型太陽能電池的導(dǎo)電漿料,其包括(a)70wt%至99.75wt%的銀粉;(b)0.1wt%至3.0wt%的鋁粉,其中,所述鋁粉的D50不大于3μm;(c)5wt%至10wt%的玻璃料;以及(d)3wt%至30wt%的有機(jī)介質(zhì)(An organic medium);其中,wt%基于漿料組合物的總重量計(jì)算。
另一方面,本發(fā)明涉及一種N型太陽能電池的制造方法,其包括如下步驟:制備N型太陽能電池襯底,其中,所述N型太陽能電池襯底包括:n型摻雜半導(dǎo)體襯底、形成于所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)的p型發(fā)射極、以及形成于所述p型發(fā)射極上的鈍化層;將導(dǎo)電漿料施加于所述半導(dǎo)體襯底上,其中,所述導(dǎo)電漿料包括(a)70wt%至99.75wt%的銀粉;(b)0.1wt%至3.0wt%的鋁粉,其中,所述鋁粉的D50不大于3μm;(c)5wt%至10wt%的玻璃料;(d)3至30wt%的有機(jī)載體(An organic vehicle);其中,wt%基于漿料組合物的總重量計(jì)算;以及燒結(jié)所施加的所述導(dǎo)電漿料,以制成與所述p型發(fā)射極形成電接觸的太陽能電池電極。
另一方面,本發(fā)明涉及一種N型太陽能電池,其包括根據(jù)上述的導(dǎo)電漿料而制成的電極。
附圖說明
圖1示出了N型太陽能電池的p型電極的制造過程。
具體實(shí)施方式
下面展示太陽能電池電極的制造過程的一個實(shí)施例。然而,本發(fā)明不限于以下實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是,雖然通過優(yōu)選實(shí)施例和可選特征已經(jīng)具體公開了本發(fā)明,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明公開的內(nèi)容進(jìn)行修改、改進(jìn)和變更,并且可認(rèn)為這些修改、改進(jìn)和變更落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
一種p型電極的制造方法
制備N型太陽能電池襯底,其包括n型摻雜半導(dǎo)體襯底(n型基層)10以及p型發(fā)射極20。
所述n型基層可以定義為包含雜質(zhì)的半導(dǎo)體層,該雜質(zhì)稱為供體摻雜劑,其中,供體摻雜劑在半導(dǎo)體元件中引入額外的價電子。在所述n型基層中,自由電子來自導(dǎo)帶中的所述供體摻雜劑。
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