[發(fā)明專利]用于N型太陽能電池的導(dǎo)電漿料，N型太陽能電池的制造方法以及N型太陽能電池

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080064792.2
• 申請日: 2020-10-15
• 公開（公告）號: CN114430851A
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 施哲修
• 申請（專利權(quán)）人: 太陽帕斯特有限責任公司
• 主分類號: H01B1/16
• 分類號: H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 孔翰

1.一種用于N型太陽能電池的導(dǎo)電漿料，其包括：

(a)70wt％至99.75wt％的銀粉；

(b)0.1wt％至3.0wt％的鋁粉，其中，所述鋁粉的D50不大于3μm；

(c)5wt％至10wt％的玻璃料；以及

(d)3wt％至30wt％的有機介質(zhì)；

其中，wt％基于漿料組合物的總重量計算。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料，其中，所述鋁粉的含量為1.0wt％至2.5wt％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料，其中，所述鋁粉的D50大于1.0μm并且小于2.8μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料，其中，所述玻璃料的含量為5wt％至8wt％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料，其中，所述玻璃料的軟化點小于400℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料，其中，所述導(dǎo)電漿料用于在N型太陽能電池中制成電極，所述N型太陽能電池包括n型摻雜半導(dǎo)體襯底，所述n型摻雜半導(dǎo)體襯底的主表面上具有至少一層絕緣層，其中，所述導(dǎo)電漿料在燒結(jié)時能夠穿透所述至少一層絕緣層。

7.一種N型太陽能電池的制造方法，其包括如下步驟：

制備N型太陽能電池襯底，其中，所述N型太陽能電池襯底包括：n型摻雜半導(dǎo)體襯底、形成于所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)的p型發(fā)射極、以及形成于所述p型發(fā)射極上的鈍化層；

將導(dǎo)電漿料施加于所述半導(dǎo)體襯底上，其中，所述導(dǎo)電漿料包括(a)70wt％至99.75wt％的銀粉；(b)0.1wt％至3.0wt％的鋁粉，其中，所述鋁粉的D50不大于3μm；(c)5wt％至10wt％的玻璃料；(d)3wt％至30wt％的有機載體；其中，wt％基于漿料組合物的總重量計算；以及

燒結(jié)所施加的所述導(dǎo)電漿料，以制成與所述p型發(fā)射極形成電接觸的太陽能電池電極。

8.一種N型太陽能電池，其包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料而制成的電極。