[發明專利]雜質擴散組合物、使用了該雜質擴散組合物的半導體元件的制造方法及太陽能電池的制造方法

在審

• 申請號: 202080061387.5
• 申請日: 2020-09-18
• 公開（公告）號: CN114342101A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 北田剛;弓場智之;秋本旭
• 申請（專利權）人: 東麗株式會社
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/46
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 馬妮楠;段承恩

1.一種雜質擴散組合物，其包含(A)聚乙烯醇、(B)雜質擴散成分、和(C)硅氧烷，(A)聚乙烯醇的皂化度為20摩爾％以上且小于90摩爾％，(C)硅氧烷包含選自下述通式(1)、(2)的任一通式所示的部分結構中的至少1種、和選自下述通式(3)、(4)的任一通式所示的部分結構中的至少1種，

R¹和R²各自獨立地表示羥基、碳原子數1～6的烷基、碳原子數1～7的烷氧基、碳原子數1～6的酰氧基、碳原子數2～10的烯基中的任一者，多個R¹和R²各自可以相同也可以不同；R³表示碳原子數6～15的芳基，多個R³各自可以相同也可以不同；R⁴表示羥基、碳原子數1～6的烷基、碳原子數1～7的烷氧基、碳原子數1～6的酰氧基、碳原子數2～10的烯基、碳原子數6～15的芳基中的任一者，多個R⁴各自可以相同也可以不同。

2.根據權利要求1所述的雜質擴散組合物，(A)聚乙烯醇的皂化度為20摩爾％以上且小于70摩爾％。

3.根據權利要求1所述的雜質擴散組合物，(A)聚乙烯醇的皂化度為20摩爾％以上且小于50摩爾％。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的雜質擴散組合物，(B)雜質擴散成分為硼酸。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的雜質擴散組合物，(A)聚乙烯醇與(C)硅氧烷的質量比率(A)：(C)為30：70～75：25。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的雜質擴散組合物，其進一步含有(D)溶劑，(D)溶劑含有內酰胺系溶劑或環狀酯系溶劑，(D)溶劑中的內酰胺系溶劑或環狀酯系溶劑的含量為20質量％以上。

7.根據權利要求6所述的雜質擴散組合物，(D)溶劑中的水的含量為0.1～10質量％。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的雜質擴散組合物，其進一步含有(E)觸變劑，(E)觸變劑為氧化硅的微粒。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的雜質擴散組合物，其進一步以0.01～0.1質量％的量含有(F)羧酸。

10.根據權利要求9所述的雜質擴散組合物，(F)羧酸為甲酸。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的雜質擴散組合物，其pH為4.0～6.5。

12.一種半導體元件的制造方法，其包含下述工序：在半導體基板上涂布權利要求1～11中任一項所述的雜質擴散組合物而形成雜質擴散組合物膜的工序；以及使雜質從所述雜質擴散組合物膜擴散而在半導體基板形成雜質擴散層的工序。

13.一種半導體元件的制造方法，其包含下述工序：在半導體基板上涂布n型雜質擴散組合物而形成n型雜質擴散組合物膜的工序；涂布作為p型雜質擴散組合物的權利要求1～11中任一項所述的雜質擴散組合物而形成雜質擴散組合物膜的工序；以及通過將該半導體基板進行加熱，從而同時形成n型雜質擴散層和p型雜質擴散層的工序。

14.一種半導體元件的制造方法，其包含下述工序：在半導體基板的一面涂布作為p型雜質擴散組合物的權利要求1～11中任一項所述的雜質擴散組合物而形成p型雜質擴散組合物膜的工序；在所述半導體基板的另一面涂布n型雜質擴散組合物而形成n型雜質擴散組合物膜的工序；以及通過將該半導體基板進行加熱，從而同時形成p型雜質擴散層和n型雜質擴散層的工序。