[發(fā)明專利]用于流量限制器的密封件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080057738.5 | 申請日: | 2020-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN114556536A | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 馬修·埃里克·科瓦契奇;扎卡賴亞·伊齊基爾·麥金太爾;肖恩·約瑟夫·彭利;克里斯托弗·布賴恩特·戴維斯 | 申請(專利權(quán))人: | 艾科系統(tǒng)公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京京萬通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11440 | 代理人: | 許天易 |
| 地址: | 美國得克薩斯州7872*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 流量 限制器 密封件 | ||
用于控制氣流的裝置是輸送用于半導體制造的工藝氣體的重要部件。這些用于控制氣流的裝置經(jīng)常依賴于有效密封的流量限制器,這可以消除流量限制器周圍的工藝氣體泄漏。在一個實施例中,公開了一種用于流量限制器的密封件,該密封件包括收縮配合到流量限制器的密封部分上的塑料圓柱體。在另一個實施例中,公開了一種用于流量限制器的密封件,該密封件具有帶流量孔的第一密封環(huán)、安裝在流量孔中的流量限制器。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2019年8月5日提交的美國臨時專利申請?zhí)?2/882,814的權(quán)益,其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
背景技術(shù)
質(zhì)量流量控制一直是半導體芯片制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。用于控制質(zhì)量流量的設備對于為半導體制造和其他工業(yè)過程提供已知的工藝氣體流速很重要。此類設備用于測量和準確控制各種應用的流體流動。這種控制可以通過使用精確校準的流量限制器和密封件來實現(xiàn),這些流量限制器和密封件可確保流量限制器與其安裝的通道之間的泄漏最小。
隨著芯片制造技術(shù)的進步,對流量控制設備的需求也隨之提高。半導體制造工藝越來越需要提高性能,包括更準確的測量、更低的設備成本、改進的瞬態(tài)響應時間以及更好的氣體輸送時間的一致性。為了提高氣體輸送的一致性,需要改進的流量限制器及其密封件。
發(fā)明內(nèi)容
本技術(shù)涉及用于在質(zhì)量流量控制器或其他氣體輸送裝置中使用的流量限制器的密封件。這些氣體輸送裝置中的一種或多種可用于廣泛的工藝,例如半導體芯片制造、太陽能電池板制造等。
在一種實施方式中,本發(fā)明是用于氣體流量限制器的密封件,該密封件具有第一端、第二端和用于接收流量限制器的孔,以在流量限制器和密封件之間形成流體密封連接。
在另一個實施方式中,本發(fā)明是一種閥組件,該閥組件具有閥、流量限制器和密封件。閥具有通道。流量限制器具有第一端、第二端、從第一端延伸到第二端的縱向軸線、以及沿縱向軸線位于第一端和第二端之間的密封部分。密封件與流量限制器的密封部分和閥的通道接觸。
在又一實施方式中,本發(fā)明是一種閥組件,該閥組件具有閥,該閥具有第一通道、第二通道、第一密封凹部和第二凹部。閥組件具有基部,該基部具有第三密封凹部和第四密封凹部。閥組件具有流量限制器,流量限制器具有第一端、第二端、從第一端延伸到第二端的縱向軸線,以及沿著縱向軸線位于第一端和第二端之間的流量限制器的表面。最后,閥組件具有密封件,其與流量限制器的表面和閥的第一密封凹部接觸。
本技術(shù)的其他應用領(lǐng)域?qū)南挛奶峁┑脑敿毭枋鲋凶兊蔑@而易見。應當理解,詳細描述和具體示例雖然指示了優(yōu)選實施方式,但僅旨在用于說明的目的,而不旨在限制本技術(shù)的范圍。
附圖說明
本公開的發(fā)明將通過詳細描述和附圖變得更被充分地理解,其中:
圖1是使用一個或多個流量限制器的工藝的示意圖。
圖2是可以在圖1的工藝中使用的質(zhì)量流量控制器的示意圖。
圖3是閥的示意圖,該閥結(jié)合了可用于圖2的質(zhì)量流量控制器的流量限制器和密封件的第一實施例。
圖4是可用于圖3的閥的流量限制器和密封件的第一實施例的立體圖。
圖5是圖4的沿線V-V截取的流量限制器和密封件的剖視圖。
圖6是圖4的無密封件的流量限制器的立體圖。
圖7是圖4的無流量限制器的密封件的立體圖。
圖8是閥的示意圖,該閥結(jié)合了可用于圖2的質(zhì)量流量控制器的流量限制器和密封件的第二實施例。
圖9是可用于圖8的閥的流量限制器和密封件的第二實施例的立體圖。
圖10是圖9沿線X-X截取的流量限制器和密封件的剖視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





