[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體工藝的氣體/固體分離的液體過濾裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080056104.8 | 申請日: | 2020-06-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114207839A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | I·馬哈威利 | 申請(專利權(quán))人: | 科利百利股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/66 | 分類號(hào): | H01L29/66;H01L29/778;H01L29/15 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人: | 林偉峰 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 半導(dǎo)體 工藝 氣體 固體 分離 液體 過濾 裝置 | ||
一種用于氣體/固體分離的液體過濾裝置,包括具有過濾室、半導(dǎo)體工藝氣體入口、和工藝氣體出口的外殼。過濾室形成液體儲(chǔ)存器,半導(dǎo)體工藝氣體入口及工藝氣體出口與過濾腔室相連通。該外殼還包括過濾液入口和過濾液出口,其均與液體儲(chǔ)存器相連通,以分別用于將過濾流體輸送到液體儲(chǔ)存器和從液體儲(chǔ)存器排出過濾流體。
技術(shù)領(lǐng)域和背景技術(shù)
通常,半導(dǎo)體器件的制造采用通過氧化進(jìn)行的轉(zhuǎn)換,例如,在某些化學(xué)品的適度至高度升高的硅晶片溫度下,以形成構(gòu)成半導(dǎo)體器件電路層的所需薄膜。例如,在化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝中,沉積在硅晶片上的二氧化硅薄膜是通過在大約400攝氏度的晶片溫度和大約300mTorr的處理室壓力下用氧氣氧化硅烷而形成的。二氧化硅薄膜也通過在幾乎相似的處理?xiàng)l件下用氧氣和臭氧氧化蒸氣四乙基硅氧烷TOES來沉積。氧化硅膜也是通過低壓氣相等離子體增強(qiáng)(PECVD)在較低溫度下沉積的。在另一個(gè)工藝中,硅烷與氨在低壓和適中的晶片溫度下反應(yīng)形成氮化硅。在這些以及幾乎所有其他CVD反應(yīng)中,例如鎢和硅化鎢薄膜的形成,接近75%的進(jìn)入處理室的氣態(tài)進(jìn)料反應(yīng)物未經(jīng)轉(zhuǎn)化地通過處理室。
典型的半導(dǎo)體處理室的排氣是低壓氣流,由未轉(zhuǎn)化的進(jìn)料反應(yīng)物、反應(yīng)副產(chǎn)物、稀釋氮?dú)廨d氣和顆粒組成。這些顆粒是氣相中加熱的反應(yīng)物的氣相反應(yīng)的副產(chǎn)物,它們沿著橫跨處理室和真空泵之間的前級(jí)真空管線繼續(xù)形成和增加數(shù)量,在典型的制造設(shè)備中可能達(dá)60英尺。圖1是典型的CVD或PECVD系統(tǒng)的示意圖,該系統(tǒng)由通過真空前級(jí)管道連接到真空泵的處理室組成。真空泵通過排氣管連接到典型的廢氣減排系統(tǒng),該系統(tǒng)使用天然氣火焰破壞未反應(yīng)的工藝氣體,然后使用氣體/水吸收柱去除酸性氣態(tài)副產(chǎn)物。這種減排系統(tǒng)的輸出包括通常被中和并排放的酸性廢水流和充滿細(xì)顆粒的氣流,這些細(xì)顆粒在通過大表面積機(jī)械顆粒過濾器后排放到大氣中。
顆粒覆蓋在處理室、真空泵和減排系統(tǒng)之間的所有連接管線上,并且經(jīng)常填滿和堵塞這些管線,從而導(dǎo)致大量的維護(hù)停機(jī)時(shí)間,從而大大增加了運(yùn)營成本。在許多情況下,由于大量顆粒沉積導(dǎo)致真空泵無法運(yùn)行,因此必須關(guān)閉真空泵。從這些生產(chǎn)線上移除和更換真空泵通常需要極高的材料和勞動(dòng)力成本。在少數(shù)工藝中,機(jī)械過濾器被放置在真空前級(jí)管道中以捕獲這些顆粒,以延長真空泵的使用壽命。在許多情況下,前級(jí)管線和泵排氣管線都被加熱以防止未轉(zhuǎn)化的可冷凝反應(yīng)物的冷凝,這隨后有助于吸收和凝聚載氣顆粒并產(chǎn)生昂貴且難以清潔的液體/固體堵塞。
使用液體介質(zhì)可以最好地從充滿顆粒的氣體流中分離顆粒。例如,通過使載有顆粒的氣體流通過非常高流速的水噴淋器,可以將顆粒從大的氣體流速中分離出來。通過適當(dāng)調(diào)整容器體積和水流量,可以實(shí)現(xiàn)將高顆粒分離到水流中。雖然這種分離過程使用水是有效且經(jīng)濟(jì)的,但由于與氣流中的反應(yīng)物潛在的不利的水化學(xué)反應(yīng)以及低壓前級(jí)管線中非常高的水蒸氣壓力,它們不能用于半導(dǎo)體加工。在真空CVD和PECVD半導(dǎo)體工藝中,前級(jí)管線中的分子水會(huì)向后擴(kuò)散到處理室本身,并削弱正在處理的半導(dǎo)體薄膜的化學(xué)成分。
發(fā)明內(nèi)容
因此,提供了一種液體過濾裝置,其使用液體作為介質(zhì)在CVD和PECVD半導(dǎo)體工藝的低壓前級(jí)管線中將顆粒與載氣顆粒流分離。合適的過濾液體具有低于約10-7Torr的蒸汽壓,例如具有化學(xué)名稱為全氟聚醚(PFPE)的市售Fomblin液體,其蒸汽壓為約6×10-8Torr或更低。這些合適的液體,例如PFPE,是化學(xué)惰性的,可以在-58攝氏度至高達(dá)257攝氏度的溫度范圍內(nèi)使用,并且在高真空操作下的釋氣可以忽略不計(jì)。它們不導(dǎo)電,介電強(qiáng)度約為15.7MV/m。它們可以配制成具有從38至1830cST的運(yùn)動(dòng)粘度。作為參考,水的運(yùn)動(dòng)粘度為1cSt。
在一個(gè)實(shí)施例中,用于氣體/固體分離的液體過濾裝置包括具有過濾室、半導(dǎo)體工藝氣體入口和工藝氣體出口的外殼。該室形成液體儲(chǔ)存器,并且半導(dǎo)體工藝氣體入口和工藝氣體出口與過濾室連通。外殼還包括過濾液體入口和過濾液體出口,它們與液體儲(chǔ)存器連通,分別用于將過濾流體輸送到液體儲(chǔ)存器和從液體儲(chǔ)存器排出過濾流體。
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





