[發明專利]激光二極管、光集成裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202080055424.1
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN114175430A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 崔武漢;金仁普;樸弘植
• 申請（專利權）人: 慶北大學校產學協力團
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/183
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;劉燦強

一種光集成裝置可以包括：基底；第一激光二極管，設置在基底上并且以橫磁模(TM模)振蕩；以及第二激光二極管，設置在基底上并且以橫電模(TE模)振蕩，其中，第一激光二極管包括圓盤形的第一主體以及穿透第一主體的通孔。

技術領域

本發明涉及激光二極管、光集成裝置及其制造方法，更具體地，涉及包括使用變換光學的激光二極管的光集成裝置及其制造方法。

背景技術

變換光學是試圖通過控制空間中的材料常數(例如，介電常數、透射率和折射率)的分布來任意地控制光的流動的研究領域。這已經成為納米光學研究的新范例，并且除了基礎研究，各種應用可能性也被提出。

發明內容

技術問題

本發明的目的是提供一種具有改進性能的激光二極管和光集成裝置。

技術方案

根據本發明的光集成裝置包括：基底；第一激光二極管，在基底上以橫磁模(TM模)振蕩；以及第二激光二極管，在基底上以橫電模(TE模)振蕩，其中，第一激光二極管可以包括：第一主體，呈圓盤的形狀；以及通孔，穿透第一主體。

根據一些實施例，第二激光二極管可以包括呈圓盤的形狀的第二主體，其中，從基底的上表面到第一主體的上表面的距離可以與從基底的上表面到第二主體的上表面的距離相同。

根據一些實施例，第一主體可以具有不均一的曲率。

根據一些實施例，第一主體的每單位面積的通孔的面積比可以是不均一的。

根據一些實施例，第一主體的每單位面積的通孔的數量可以是不均一的。

根據一些實施例，第一主體的每單位面積的通孔的直徑可以是不均一的。

根據一些實施例，第一主體的至少一部分可以具有不均勻的折射率。

根據一些實施例，光集成裝置還可以包括基底上的光波導，光波導位于第一激光二極管與第二激光二極管之間。

根據一些實施例，第一主體可以具有不均一的曲率，其中，第一主體的與光波導相鄰的部分的曲率可以比第一主體的與光波導間隔開的另一部分的曲率小。

根據一些實施例，第一主體和第二主體中的每個可以包括：上包覆層和下包覆層；以及增益介質，置于上包覆層與下包覆層之間。

根據一些實施例，通孔的直徑可以比發射光的波長的長度小。

在根據本發明的包括呈圓盤的形狀的主體的激光二極管中，主體可以具有不均一的曲率，并且TM模和TE模可以根據主體中的折射率分布選擇性地振蕩。

根據一些實施例，主體的至少一部分可以具有不均勻的介電常數并且以TM模振蕩。

根據一些實施例，主體可以包括：上包覆層和下包覆層；以及增益介質，置于上包覆層與下包覆層之間。

根據一些實施例，激光二極管還可以包括穿透主體的通孔。

根據一些實施例，主體的每單位面積的通孔的面積比可以是不均一的。

根據一些實施例，通孔的直徑可以比入射光的波長的長度小。