[發(fā)明專利]激光二極管、光集成裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080055424.1
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號(hào): CN114175430A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔武漢;金仁普;樸弘植
• 申請（專利權(quán)）人: 慶北大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): H01S5/40
• 分類號(hào): H01S5/40;H01S5/183
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;劉燦強(qiáng)

1.一種光集成裝置，所述光集成裝置包括：

基底；

第一激光二極管，在基底上以TM模(橫磁模)振蕩；以及

第二激光二極管，在基底上以TE模(橫電模)振蕩，

其中，第一激光二極管包括：

第一主體，呈圓盤的形狀；以及

通孔，穿透第一主體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光集成裝置，其中，第二激光二極管包括呈圓盤的形狀的第二主體，

其中，從基底的上表面到第一主體的上表面的距離與從基底的上表面到第二主體的上表面的距離相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光集成裝置，其中，第一主體具有不均一的曲率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光集成裝置，其中，第一主體的每單位面積的通孔的面積比是不均一的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光集成裝置，其中，第一主體的每單位面積的通孔的數(shù)量是不均一的。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光集成裝置，其中，第一主體的每單位面積的通孔的直徑是不均一的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光集成裝置，其中，第一主體的至少一部分具有不均勻的折射率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光集成裝置，所述光集成裝置還包括位于基底上的光波導(dǎo)，光波導(dǎo)位于第一激光二極管與第二激光二極管之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光集成裝置，其中，第一主體具有不均一的曲率，

其中，第一主體的與光波導(dǎo)相鄰的部分的曲率比第一主體的與光波導(dǎo)間隔開的另一部分的曲率小。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光集成裝置，其中，第一主體和第二主體中的每個(gè)包括：

上包覆層和下包覆層；以及

增益介質(zhì)，置于上包覆層與下包覆層之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光集成裝置，其中，通孔的直徑比發(fā)射光的波長的長度小。

12.一種以TM模振蕩的激光二極管，所述激光二極管包括：呈圓盤的形狀的主體，

其中，主體具有不均一的曲率。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光二極管，其中，主體的至少一部分具有不均勻的折射率。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的激光二極管，其中，主體包括：

上包覆層和下包覆層；以及

增益介質(zhì)，置于上包覆層與下包覆層之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的激光二極管，所述激光二極管還包括穿透主體的通孔。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的激光二極管，其中，主體的每單位面積的通孔的面積比是不均一的。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的激光二極管，其中，通孔的直徑比入射光的波長的長度小。