[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體加工用層疊體在審
| 申請號: | 202080048374.4 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN114097073A | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 今智范 | 申請(專利權)人: | 積水化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;C09J133/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 王永紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 工用 層疊 | ||
本發明的目的在于提供能夠抑制臨時固定帶與半導體加工用粘合帶的界面處的剝離,良好地進行半導體封裝的拾取的半導體裝置的制造方法、以及半導體加工用層疊體。本發明的半導體裝置的制造方法具有如下的工序(3):在將貼附有半導體加工用粘合帶的半導體封裝以上述半導體加工用粘合帶側進行接觸的方式層疊于臨時固定帶上且在貼附有上述半導體加工用粘合帶的半導體封裝的背面和側面形成有金屬膜的半導體加工用層疊體中,從上述半導體加工用粘合帶拾取在背面和側面形成有金屬膜的半導體封裝,在上述工序(3)中,在加熱至滿足下述式(1)的溫度T1的狀態下拾取在上述背面和側面形成有金屬膜的半導體封裝。100<{Fb(T1)/Fa(T1)}(1)式(1)中,Fa(t)表示溫度t時的半導體加工用粘合帶對銅板的剝離力,Fa(T1)表示Fa(t)的溫度t=T1時的值,Fb(t)表示溫度t時的臨時固定帶對半導體加工用粘合帶的剝離力,Fb(T1)表示Fb(t)的溫度t=T1時的值。
技術領域
本發明涉及能夠抑制臨時固定帶與半導體加工用粘合帶的界面處的剝離、良好地進行半導體封裝的拾取的半導體裝置的制造方法及半導體加工用層疊體。
背景技術
在半導體等電子部件的加工時,為了使電子部件的處理變得容易、不發生破損,借助粘合劑組合物將電子部件固定于支撐板、或者將粘合帶貼附于電子部件來進行保護。例如,在將從高純度的單晶硅等切出的厚膜晶片磨削至規定的厚度而制成薄膜晶片的情況下,借助粘合劑組合物將厚膜晶片粘接于支撐板。
另外,在對大面積的半導體封裝進行切割而得到多個單片化的半導體封裝的情況下,也進行將粘合帶貼附于半導體封裝的操作。在這樣的工序中,將貼附有粘合帶的半導體封裝進一步臨時固定于被稱為切割帶的膠帶上,在切割帶上連同粘合帶一起切割半導體封裝。切割后,通過針拾取等,將單片化后的半導體封裝從切割帶和/或粘合帶剝離。
對于這樣用于電子部件的粘合劑組合物、粘合帶,要求在加工工序中能夠盡可能牢固地固定電子部件的高粘接性,并且要求在工序結束后能夠在不損傷電子部件的情況下進行剝離(以下,也稱為“高粘接易剝離”。)。
作為高粘接易剝離的實現手段,例如專利文獻1中公開了一種粘合片,其使用了在聚合物的側鏈或主鏈上鍵合有具有輻射聚合性官能團的多官能性單體或低聚物的粘合劑。通過具有輻射聚合性官能團,從而聚合物通過紫外線照射而固化,利用這一點,通過在剝離時照射紫外線,從而粘合力降低,能夠無殘膠地進行剝離。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平5-32946號公報
發明內容
發明要解決的課題
另一方面,移動電話等通信設備的高頻化不斷發展,產生由高頻引起的噪聲導致的半導體封裝的誤動作的問題。特別是,近年來的通信設備由于小型化而引起的器件密度的增加、器件的低電壓化不斷發展,因此半導體封裝容易受到高頻引起的噪聲的影響。
針對該問題,例如,通過濺射等對切割后的單片化的半導體封裝的背面和側面實施用金屬膜覆蓋的屏蔽處理,進行了阻斷高頻的操作。在這樣的屏蔽處理中,為了保護電路面(前表面)和防止污染,也進行將粘合帶貼附于半導體封裝的電路面(前表面)的操作。即,將在電路面(前表面)貼附有粘合帶的半導體封裝進一步臨時固定于臨時固定帶上,在臨時固定帶上在半導體封裝的背面和側面形成金屬膜。
屏蔽處理后,通過針拾取等,將在背面和側面形成有金屬膜的半導體封裝從臨時固定帶和粘合帶剝離。然而,根據半導體封裝的電路面(前表面)的電極的高度、形狀等,有時無法良好地進行屏蔽處理后的半導體封裝的拾取。
本發明的目的在于提供能夠抑制臨時固定帶與半導體加工用粘合帶的界面處的剝離、良好地進行半導體封裝的拾取的半導體裝置的制造方法及半導體加工用層疊體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





