[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體加工用層疊體

在審

• 申請號: 202080048374.4
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN114097073A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 今智范
• 申請（專利權）人: 積水化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;C09J133/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王永紅

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有如下的工序(3)：在將貼附有半導體加工用粘合帶的半導體封裝以所述半導體加工用粘合帶側進行接觸的方式層疊于臨時固定帶上且在貼附有所述半導體加工用粘合帶的半導體封裝的背面和側面形成有金屬膜的半導體加工用層疊體中，從所述半導體加工用粘合帶拾取在背面和側面形成有金屬膜的半導體封裝，

在所述工序(3)中，在加熱至滿足下述式(1)的溫度T₁的狀態下拾取在所述背面和側面形成有金屬膜的半導體封裝，

100＜{Fb(T₁)/Fa(T₁)} (1)

式(1)中，Fa(t)表示溫度t時的半導體加工用粘合帶對銅板的剝離力，Fa(T₁)表示Fa(t)的溫度t＝T₁時的值，Fb(t)表示溫度t時的臨時固定帶對半導體加工用粘合帶的剝離力，Fb(T₁)表示Fb(t)的溫度t＝T₁時的值。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在工序(3)之前進行工序(1)和工序(2)，

工序(1)，將貼附有半導體加工用粘合帶的半導體封裝以所述半導體加工用粘合帶側進行接觸的方式臨時固定于臨時固定帶上，

工序(2)，在所述臨時固定帶上，在貼附有所述半導體加工用粘合帶的半導體封裝的背面和側面形成金屬膜。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，Fa(t)在溫度T₁時的值即Fa(T₁)為0.5N/inch以下。

4.根據權利要求1、2或3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，Fa(t)在23℃的值即Fa(23℃)為0.04N/inch以上。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，Fb(t)在23℃的值即Fb(23℃)為3N/inch以上。

6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，Fb(t)在溫度T₁時的值即Fb(T₁)為1N/inch以上且50N/inch以下。

7.根據權利要求1、2、3、4、5或6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在工序(1)之前進行工序(1-1)和工序(1-2)，

工序(1-1)，在半導體封裝的電路面貼附半導體加工用粘合帶，

工序(1-2)，對貼附有所述半導體加工用粘合帶的半導體封裝進行切割，得到單片化的貼附有所述半導體加工用粘合帶的半導體封裝。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，半導體加工用粘合帶具有基材和層疊于該基材的至少一個面的粘合劑層，所述粘合劑層為光固化型粘合劑層。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在工序(1-1)之后，進行對半導體加工用粘合帶的粘合劑層照射光的工序(1-3)。

10.一種半導體加工用層疊體，其特征在于，其為貼附有半導體加工用粘合帶的半導體封裝以所述半導體加工用粘合帶側進行接觸的方式層疊于臨時固定帶上的半導體加工用層疊體，

在溫度25℃～200℃的范圍具有滿足下述式(1’)的溫度T₂，

100＜{Fb(T₂)/Fa(T₂)} (1’)

式(1’)中，Fa(t)表示溫度t時的半導體加工用粘合帶對銅板的剝離力，Fa(T₂)表示Fa(t)在溫度t＝T₂時的值，Fb(t)表示溫度t時的臨時固定帶對半導體加工用粘合帶的剝離力，Fb(T₂)表示Fb(t)在溫度t＝T₂時的值。