[發明專利]涂布方法和涂布裝置

有效

• 申請號: 202080047747.6
• 申請日: 2020-06-25
• 公開（公告）號: CN114025885B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 橋本祐作;川北直史;吉原孝介
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B05B13/02
• 分類號: B05B13/02;B05B14/00;B05B12/02;B05D3/10;C09D7/20;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

一種涂布方法，是向基板供給處理液并通過旋涂法來在基板上涂布上述處理液的涂布方法，在所述涂布方法中，在上述處理液的供給開始的同時或者晚于上述處理液的供給開始地將表面張力比上述處理液的表面張力小的上述處理液的溶劑與上述處理液混合地供給到上述基板。

技術領域

本公開涉及一種涂布方法和涂布裝置。

背景技術

專利文獻1中記載有以下的抗蝕劑涂布方法，該抗蝕劑涂布方法包括：溶劑供給工序，向大致靜止的基板的大致中心上供給溶劑；第一工序，在上述溶劑供給工序之后，一邊向上述基板的大致中心上且上述溶劑上供給抗蝕液，一邊使上述基板以第一轉速旋轉；第二工序，在上述第一工序之后，使上述基板以比上述第一轉速低的第二轉速旋轉；以及第三工序，在上述第二工序之后，使上述基板以比上述第一轉速低且比上述第二轉速高的第三轉速旋轉。另外，在專利文獻1中記載有在涂布抗蝕液之前通過稀釋劑等溶劑在基板上進行預濕以實現抗蝕劑的節省。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-207788號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開所涉及的技術在對基板涂布以抗蝕液為代表的各種處理液來形成涂布膜時抑制所需的處理液的量。

用于解決問題的方案

本公開的一個方式是向基板供給處理液并通過旋涂法來在基板上涂布所述處理液的涂布方法，在所述涂布方法中，在所述處理液的供給開始的同時或者晚于所述處理液的供給開始地將表面張力比所述處理液的表面張力小的所述處理液的溶劑與所述處理液混合地供給到所述基板。

發明的效果

根據本公開，能夠在對基板涂布以抗蝕液為代表的各種處理液來形成涂布膜時抑制所需的處理液的量。

附圖說明

圖1是示意性地表示本實施方式所涉及的涂布裝置的結構的概要的縱截面的說明圖。

圖2是示意性地表示圖1的涂布裝置的結構的概要的橫截面的說明圖。

圖3是表示以往的預濕處理方式的涂布方法中的抗蝕液和溶劑的噴出速率的隨時間變化的曲線圖。

圖4是表示其它方式的涂布方法中的抗蝕液和溶劑的噴出、混合速率的隨時間變化的曲線圖。

圖5是表示實施方式所涉及的涂布方法中的抗蝕液和溶劑的混合速率的隨時間變化的曲線圖。

圖6是表示在實施方式所涉及的涂布方法中改變了溶劑的種類時的膜厚的分布的說明圖。

圖7是表示在實施方式所涉及的涂布方法中改變了溶劑的種類時的抗蝕劑節省特性的表。

圖8是表示其它實施方式所涉及的涂布方法中的抗蝕液與溶劑的混合速率的隨時間變化的曲線圖。

圖9是表示其它實施方式所涉及的涂布方法中的抗蝕液與溶劑的混合速率的隨時間變化的曲線圖。

圖10是表示其它實施方式所涉及的涂布方法中的抗蝕液與溶劑的混合速率的隨時間變化的曲線圖。

具體實施方式

以往以來，在半導體器件的制造工藝的光刻工序中，針對基板例如半導體晶圓(下面有時稱為“晶圓”。)進行以下處理：通過旋涂法在晶圓上涂布用于形成圖案的抗蝕液，來在晶圓的表面形成抗蝕膜。在該情況下，為了抑制高價的抗蝕液的消耗來實現抗蝕劑的節省，在供給抗蝕液之前對晶圓的表面進行使作為抗蝕液的溶劑的稀釋劑擴散于晶圓的整個表面的預濕處理(專利文獻1)。