[發(fā)明專利]磁傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080041266.4
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN113906303A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 遠藤大三;筱龍德;坂脅彰;利根川翔;渡邊恭成
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G01R33/06
• 分類號: G01R33/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李國卿

磁傳感器具備非磁性的基板和感應元件31，所述感應元件31具有長邊方向和短邊方向，在與長邊方向交叉的方向上具有單軸磁各向異性，并通過磁阻抗效應來感應磁場，感應元件31具有多個軟磁體層105a～105d、和由非磁體構成且層疊于多個軟磁體層105a～105d之間的多個非磁體層106a～106c，夾著各個非磁體層106a～106c而相對的軟磁體層105a～105d是經(jīng)反鐵磁性耦合的。

技術領域

本發(fā)明涉及磁傳感器。

背景技術

作為公報中記載的現(xiàn)有技術，存在下述磁阻抗效應元件，其具備：薄膜磁鐵，其形成于非磁性基板上，并且由硬磁體膜形成；絕緣層，其將前述薄膜磁鐵的上部覆蓋；和感磁部，其形成于前述絕緣層上，被賦予了單軸各向異性，并且由一個或多個長方形的軟磁體膜形成(參見專利文獻1)。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-249406號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

在使用具有軟磁體層的感應元件作為磁阻抗效應元件的磁傳感器中，根據(jù)感應元件的層疊結構的不同，有時來自磁傳感器的輸出中的信號(Signal)與噪聲(Noise)之比即SN比降低。

本發(fā)明的目的是抑制利用了磁阻抗效應的磁傳感器的輸出中的SN比的降低。

用于解決課題的手段

應用了本發(fā)明的磁傳感器具備非磁性的基板和感應元件，前述感應元件具有長邊方向和短邊方向，在與該長邊方向交叉的方向上具有單軸磁各向異性，并通過磁阻抗效應來感應磁場，前述感應元件具有多個軟磁體層、和由非磁體構成且層疊于多個該軟磁體層之間的多個非磁體層，夾著各個該非磁體層而相對的該軟磁體層是經(jīng)反鐵磁性耦合的。

此處，各個前述非磁體層可以由Ru或Ru合金構成。

另外，各個前述非磁體層的厚度可以為0.6nm以上、1.4nm以下的范圍。

另外，可以是在從前述軟磁體層的層疊方向觀察該軟磁體層的情況下，前述感應元件不形成閉合磁疇。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制利用了磁阻抗效應的磁傳感器的輸出中的SN比的降低。

附圖說明

[圖1](a)～(b)為對應用了本實施方式的磁傳感器的一個例子進行說明的圖。

[圖2]為對應用了本實施方式的感應元件的構成進行說明的圖。

[圖3]為對在磁傳感器的感應部中的感應元件的長邊方向上施加的磁場與感應部的阻抗之間的關系進行說明的圖。

[圖4](a)～(d)為用于對以往的磁傳感器中施加于感應元件的磁場H的強度與感應元件中的磁疇的變化之間的關系進行說明的圖。

[圖5]為用于對施加于感應元件的磁場的強度與感應元件中的磁化的強度之間的關系進行說明的圖。

[圖6]為對具有圖2所示的層疊結構的應用了本實施方式的感應元件的磁疇的狀態(tài)進行拍攝而得的照片。

[圖7](a)～(b)為對以往的感應元件的磁疇的狀態(tài)進行拍攝而得的照片。

具體實施方式

以下，參照附圖來對本發(fā)明的實施方式進行說明。

圖1(a)～(b)為對應用了本實施方式的磁傳感器1的一個例子進行說明的圖。圖1(a)為磁傳感器1的俯視圖，圖1(b)為沿圖1(a)中的IB-IB線的截面圖。