[發明專利]攝像裝置及電子設備在審
| 申請號: | 202080040844.2 | 申請日: | 2020-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN113924649A | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發明(設計)人: | 米田誠一;根來雄介 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 申發振 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 電子設備 | ||
提供一種能夠進行圖像處理的攝像裝置。可以將通過攝像工作取得的模擬數據(圖像數據)保持在像素中,在該像素中可以取出將該模擬數據乘以任意權系數而得的數據。通過將該數據導入到神經網絡等中,可以進行圖像識別等處理。可以將龐大的圖像數據以模擬數據狀態保持在像素中,因此可以高效地進行處理。
技術領域
本發明的一個方式涉及一種攝像裝置。
注意,本發明的一個方式不局限于上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個方式的技術領域涉及一種物體、方法或制造方法。另外,本發明的一個方式涉及一種工序(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。由此,更具體而言,作為本說明書所公開的本發明的一個方式的技術領域的一個例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明裝置、蓄電裝置、存儲裝置、攝像裝置、這些裝置的驅動方法或者這些裝置的制造方法。
注意,在本說明書等中,半導體裝置是指能夠通過利用半導體特性而工作的所有裝置。晶體管、半導體電路為半導體裝置的一個方式。另外,存儲裝置、顯示裝置、攝像裝置、電子設備有時包含半導體裝置。
背景技術
使用形成在襯底上的氧化物半導體薄膜構成晶體管的技術受到關注。例如,專利文獻1公開了具有將包括氧化物半導體的關態電流非常小的晶體管用于像素電路的結構的攝像裝置。
另外,專利文獻2公開了對攝像裝置賦予運算功能的技術。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利申請公開第2011-119711號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2016-123087號公報
發明內容
發明所要解決的技術問題
隨著技術的發展,在包括CMOS圖像傳感器等固態攝像元件的攝像裝置中,能夠容易拍攝高質量的圖像。在下一代攝像裝置中被要求安裝更高智能的功能。
在現有的圖像數據的壓縮、圖像識別等中,將圖像數據(模擬數據)轉換為數字數據,將該數據取出到外部然后進行處理。在能夠在攝像裝置內進行該處理時,可以以更高速與外部設備聯動,使用者的方便性提高。另外,也可以減少外圍裝置等的負載及功耗。另外,如果能夠以模擬數據的狀態進行復雜的數據處理,就可以縮短數據轉換所需要的時間。
因此,本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠進行圖像處理的攝像裝置。另外,本發明的一個方式的目的之一是提供一種低功耗的攝像裝置。另外,本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的攝像裝置。另外,本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的攝像裝置等。另外,本發明的一個方式的目的之一是提供一種上述攝像裝置的驅動方法。另外,本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的半導體裝置等。
注意,這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。注意,本發明的一個方式并不需要實現所有上述目的。除上述目的外的目的從說明書、附圖、權利要求書等的描述中是顯而易見的,并且可以從所述描述中抽出。
解決技術問題的手段
本發明的一個方式涉及一種能夠在像素內保持數據的同時對該數據進行運算處理的攝像裝置。
本發明的一個方式是一種攝像裝置,該攝像裝置包括像素、第一電路及第二電路,第一電路具有將第一電位或第二電位提供給像素的功能,第二電位是將第一電位與權重相加而得的電位,像素具有生成第一數據的功能,當第一電位從第一電路提供給像素時,像素具有根據第一數據及第一電位將第二數據輸出到第二電路的功能,當第二電位從第一電路提供給像素時,像素具有根據第一數據及第二電位將第三數據輸出到第二電路的功能,第二電路具有生成相當于第二數據和第三數據之差分的第四數據的功能。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





