[發(fā)明專利]攝像裝置及電子設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080040844.2 | 申請日: | 2020-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN113924649A | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 米田誠一;根來雄介 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 申發(fā)振 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 電子設備 | ||
1.一種攝像裝置,包括:
像素;
第一電路;以及
第二電路,
其中,所述第一電路具有將第一電位或第二電位提供給所述像素的功能,
所述第二電位是將所述第一電位與權重相加而得的電位,
所述像素具有生成第一數據的功能,
當所述第一電位從所述第一電路提供給所述像素時,所述像素具有根據所述第一數據及所述第一電位將第二數據輸出到所述第二電路的功能,
當所述第二電位從所述第一電路提供給所述像素時,所述像素具有根據所述第一數據及所述第二電位將第三數據輸出到所述第二電路的功能,
并且,所述第二電路具有生成相當于所述第二數據和所述第三數據之差分的第四數據的功能。
2.一種攝像裝置,包括:
像素;
第一電路;
第二電路;以及
第三電路,
其中,所述第一電路具有將第一電位或第二電位提供給所述像素的功能,
所述第二電位是將所述第一電位與權重相加而得的電位,
所述像素具有生成第一數據或第二數據的功能,
當所述第一電位從所述第一電路提供給所述像素時,所述像素具有根據所述第一數據及所述第一電位將第三數據輸出到所述第二電路的功能,并且所述像素具有根據所述第二數據及所述第一電位將第四數據輸出到所述第二電路的功能,
當所述第二電位從所述第一電路提供給所述像素時,所述像素具有根據所述第一數據及所述第二電位將第五數據輸出到所述第二電路的功能,并且所述像素具有根據所述第二數據及所述第二電位將第六數據輸出到所述第二電路的功能,
所述第二電路具有生成相當于所述第三數據和所述第四數據之差分的第七數據并將其輸出到所述第三電路的功能,
所述第二電路具有生成相當于所述第五數據和所述第六數據之差分的第八數據并將其輸出到所述第三電路的功能,
并且,所述第三電路生成相當于所述第七數據和所述第八數據之差分的第九數據。
3.根據權利要求1或2所述的攝像裝置,
其中所述像素包括光電轉換器件、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管及第一電容器,
所述光電轉換器件的一個電極與所述第一晶體管的源極和漏極中的一個電連接,
所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第二晶體管的源極和漏極中的一個電連接,
所述第二晶體管的源極和漏極中的一個與所述第三晶體管的柵極電連接,
所述第三晶體管的柵極與所述第一電容器的一個電極電連接,
所述第一電容器的另一個電極與所述第四晶體管的源極和漏極中的一個電連接,
所述第四晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第一電路電連接,
并且所述第三晶體管的源極和漏極中的一個與所述第二電路電連接。
4.根據權利要求1或2所述的攝像裝置,
其中所述像素包括光電轉換器件、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管及第一電容器,
所述光電轉換器件的一個電極與所述第一晶體管的源極和漏極中的一個電連接,
所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第二晶體管的源極和漏極中的一個電連接,
所述第二晶體管的源極和漏極中的一個與所述第三晶體管的第一柵極電連接,
所述第三晶體管的第一柵極與所述第一電容器的一個電極電連接,
所述第一電容器的另一個電極與所述第一電路電連接,
所述第三晶體管的第二柵極與第四晶體管的源極和漏極中的一個連接,
并且所述第三晶體管的源極和漏極中的一個與所述第二電路電連接。
5.根據權利要求4所述的攝像裝置,
其中所述第一電路將所述第一電位和所述第二電位中的一個提供給所述第一電容器的另一個電極且將所述第一電位和所述第二電位中的另一個提供給所述第四晶體管的源極和漏極中的另一個。
6.根據權利要求3至5中任一項所述的攝像裝置,
其中在所述第一電容器的另一個電極被提供所述第一電位以上的電位時所述第三晶體管處于導通狀態(tài)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





