[發明專利]半導體器件檢查方法及半導體器件檢查裝置在審
| 申請號: | 202080039909.1 | 申請日: | 2020-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN113906543A | 公開(公告)日: | 2022-01-07 |
| 發明(設計)人: | 竹嶋智親;樋口貴文;堀田和宏 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 檢查 方法 裝置 | ||
本發明的半導體器件檢查方法具備以下步驟:根據來自包含有半導體器件中的多個驅動元件的第1光射束點的光,取得基于來自多個驅動元件的信號的第1干擾波形;根據來自區域與第1點的一部分重復并包含有多個驅動元件的第2光射束點的光,取得基于來自多個驅動元件的信號的第2干擾波形;及基于第1及第2干擾波形,對第1及第2點內的每一驅動元件分離波形信號。
技術領域
本公開涉及一種半導體器件檢查方法及半導體器件檢查裝置。
背景技術
作為檢查半導體器件的技術,已知有稱為EOP(Electro Optical Probing:電光探測)或EOFM(Electro-Optical Frequency Mapping:電光頻率映像)的光探測技術(例如參照專利文獻1及專利文獻2)。在光探測技術中,將自光源出射的光照射于半導體器件,以光傳感器檢測由半導體器件反射的反射光,并取得檢測信號。并且,在取得的檢測信號中,將信號的時間變化顯示為波形,或選出目標頻率,并將該振幅能量的時間經過顯示為二維映像。由此,可判斷特定部位的動作是正常還是異常,或特定以目標頻率動作的電路的位置。由于光探測技術可特定并解析半導體器件中的故障部位及故障原因等,因此為非常有效的檢查技術。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2007-64975號公報
專利文獻2:日本專利特開2010-271307號公報
發明內容
本發明所要解決的問題
此處,考慮到通過半導體器件小型化,向半導體器件出射的光的射束點跨及半導體器件中的多個驅動元件的情況。在此情況下,檢測信號中產生干擾(與多個驅動元件各自的反射光對應的信號混存)。有無法根據基于干擾狀態的檢測信號的波形(干擾波形),高精度地進行半導體器件的檢查的風險。
本發明的一個方式是鑒于上述實際情況而完成的,涉及一種能夠謀求半導體器件檢查的高精度化的半導體器件檢查方法及半導體器件檢查裝置。
用于解決問題的技術方案
本發明的一個方式的半導體器件檢查方法具備:根據來自包含有半導體器件中的多個驅動元件的第1點的光,取得基于來自多個驅動元件的信號的第1干擾波形的步驟;基于多個驅動元件的動作時序,自第1干擾波形對每一驅動元件分離波形信號的步驟。
在本發明的一個方式的半導體器件檢查方法中,取得基于來自包含有多個驅動元件的第1點的光的第1干擾波形,多個驅動元件的動作時序,自第1干擾波形對每一驅動元件分離波形信號。半導體器件中所含的多個驅動元件的根據動作脈沖信號的動作時序彼此不同。因此,通過考慮來自第1干擾波形中所含的多個驅動元件的信號的時序(動作時序),可自第1干擾波形適當地分離各驅動元件的波形信號。如此,通過自干擾波形適當地分離各驅動元件的波形信號(原本的波形),可基于分離后的驅動元件的波形信號,高精度地進行半導體器件檢查。
上述半導體器件檢查方法也可還具備排列并顯示分離后的波形信號、與參照用的半導體器件的波形信號或通過邏輯仿真產生的波形信號的步驟。由此,檢查半導體器件時,可容易理解地對用戶顯示與參照樣本(參照用的半導體器件的波形信號或通過邏輯仿真產生的波形信號)的差異。據此,可更高精度地進行半導體器件檢查。
上述半導體器件檢查方法也可還具備比較分離后的波形信號、與參照用的半導體器件的波形信號或通過邏輯仿真產生的波形信號的步驟。由此,檢查半導體器件時,可特定與參照樣本(參照用的半導體器件的波形信號或通過邏輯仿真產生的波形信號)的差異。據此,可更高精度地進行半導體器件檢查。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





