[發明專利]光電子半導體芯片

在審

• 申請號: 202080037864.4
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN113853689A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 斯特凡·巴特爾;安娜·尼爾施爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 支娜;蔣靜靜

光電子半導體芯片(1)包括：半導體層序列(10)，其具有第一半導體層(101)、第二半導體層(102)和在第一半導體層(101)和第二半導體層(102)之間的有源層(103)。光電子半導體芯片(1)包括：第一接觸結構，其具有用于電接觸第一半導體層(101)的多個第一接觸銷(21)和第一接觸層(210)；和第二接觸結構，其用于電接觸第二半導體層(102)。第一半導體層(101)設置在第一接觸層(210)和有源層(103)之間。第一接觸銷(21)設置在第一接觸層(210)和第一半導體層(101)之間，并且沿橫向方向彼此分開和間隔開。通過每個第一接觸銷(21)在第一接觸層(210)和第一半導體層(101)之間形成具有電阻的電連接。在此，第一接觸銷(21)選擇為，使得由兩個不同的第一接觸銷(21)形成的電連接具有不同的電阻。

技術領域

提出一種光電子半導體芯片。

發明內容

要實現的目的此外在于，提出一種光電子半導體芯片，其特征在于特別均勻的電流密度分布、光密度分布和溫度分布。

所述目的通過具有獨立權利要求的特征的主題來實現。有利的設計方案和改進方案是從屬權利要求的主題。

根據光電子半導體芯片的至少一個實施方式，所述光電子半導體芯片包括半導體層序列，其具有第一半導體層、第二半導體層和設置在第一半導體層和第二半導體層之間的有源層。半導體層序列例如基于III-V族化合物半導體材料。半導體材料例如是氮化物化合物半導體材料，例如Al_nIn_1-n-mGa_mN，或是磷化物化合物半導體材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或是砷化物化合物半導體材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mAs或Al_nIn_1-n-mGa_mAsP，其中分別有0≤n≤1，0≤m≤1并且m+n≤1。在此，半導體層序列可以具有摻雜材料以及附加地具有組成部分。為了簡單然而僅說明半導體層序列的晶格的主要組成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使這些主要組成部分部分地可以由少量其他物質替代和/或補充也如此。優選地，半導體層序列基于InGaAlP。

有源層用于產生或用于吸收電磁輻射。有源層尤其包含至少一個pn結和/或至少一個量子阱結構，其呈單量子阱的形式，簡稱SQW，或呈多量子阱結構的形式，簡稱MQW。優選地，半導體芯片包括尤其剛好一個連通的有源層。

例如，半導體芯片在常規運行中產生在藍色或綠色或紅色光譜范圍內或在UV范圍內或在IR范圍內的電磁輻射。

例如，第一半導體層借助p型傳導材料形成并且第二半導體層借助n型傳導材料形成。替選地，第一半導體層借助n型傳導材料形成并且第二半導體層借助p型傳導材料形成。

在此和在下文中，將半導體芯片理解為可單獨操作和可電接觸的元件。半導體芯片優選通過分割從晶片復合件中產生。尤其，這種半導體芯片的側面于是例如具有來自晶片復合件的分割工藝的痕跡。

半導體芯片優選包括在晶片復合件中生長的半導體層序列的剛好一個原始連通的區域。半導體芯片的半導體層序列優選連通地構成。半導體芯片的平行于半導體層序列或半導體芯片的主延伸平面測量的橫向擴展與半導體層序列的橫向擴展相比大例如最多5％或最多10％。

根據至少一個實施方式，光電子半導體芯片包括第一接觸結構，其具有用于電接觸第一半導體層的多個第一接觸銷和第一接觸層。尤其，在常規運行中，第一半導體層經由第一接觸結構由電流供應。優選地，第一接觸層包括金屬，如金、銀、鋁、鈀、鉑、鈦、鎳、導電氧化物或由這些材料中的一種或由這些材料的混合物構成。