[發明專利]光電子半導體芯片

在審

• 申請號: 202080037864.4
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN113853689A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 斯特凡·巴特爾;安娜·尼爾施爾
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 支娜;蔣靜靜

1.一種光電子半導體芯片(1)，包括：

-半導體層序列(10)，所述半導體層序列具有第一半導體層(101)、第二半導體層(102)和在所述第一半導體層(101)和所述第二半導體層(102)之間的有源層(103)；

-第一接觸結構，所述第一接觸結構具有用于電接觸所述第一半導體層(101)的第一接觸層(210)和多個第一接觸銷(21)；和

-第二接觸結構，所述第二接觸結構用于電接觸所述第二半導體層(102)，其中

-所述第一半導體層(101)設置在所述第一接觸層(210)和所述有源層(103)之間；

-所述第一接觸銷(21)設置在所述第一半導體層(101)和所述第一接觸層(210)之間；

-所述第一接觸銷(21)沿橫向方向彼此分開和間隔開地設置；

-通過每個第一接觸銷(21)在所述第一接觸層(210)和所述第一半導體層(101)之間形成具有電阻的電連接；

-所述第一接觸銷(21)選擇為，使得由兩個不同的第一接觸銷(21)形成的電連接具有不同的電阻；和

-每個第一接觸銷(21)包括第一區域(201)和第二區域(202)。

2.根據權利要求1所述的光電子半導體芯片(1)，其中

-所述第一接觸銷(21)分別經由接觸面(21a)與所述第一半導體層(101)直接接觸，

-兩個不同的第一接觸銷(21)的接觸面(21a)的面積選擇為不同的。

3.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體芯片(1)，

其中兩個不同的第一接觸銷(21)的橫向擴展選擇為不同的。

4.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體芯片(1)，

其中兩個不同的第一接觸銷(21)的材料組成選擇為不同的。

5.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體芯片(1)，

其中所述第一接觸銷(21)選擇為，使得所述電連接的電阻沿橫向方向單調降低。

6.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體芯片(1)，其中

-所述半導體層序列(10)具有至少兩個沿橫向方向彼此并排的、不相交的區域，

-與所述區域分別關聯有多個第一接觸銷(21)，

-與共同的區域相關聯的所述第一接觸銷(21)選擇為，使得由其實現的電連接全部具有相同的電阻，

-與不同的區域相關聯的所述第一接觸銷(21)選擇為，使得由其實現的電連接具有不同的電阻。

7.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體芯片(1)，其中

-所述第一接觸銷(21)分別包括氧化層(212)，所述氧化層由透明導電氧化物形成，并且

-所述氧化層(212)經由接觸面(21a)分別與所述第一半導體層(101)直接接觸。

8.根據權利要求7所述的光電子半導體芯片(1)，其中

-所述第一接觸銷(21)分別包括一金屬層(211)，

-在每個第一接觸銷(21)中，所述金屬層(211)與所述氧化層(212)經由邊界面(21b)直接接觸，

-所述接觸面(21a)和所述邊界面(21b)是所述氧化層(212)的相對置的側。

9.根據權利要求8所述的光電子半導體芯片(1)，

其中兩個不同的第一接觸銷(21)的所述邊界面(21b)的面積不同。