[發(fā)明專利]用于高溫腐蝕環(huán)境的基板支承件蓋在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080037702.0 | 申請日: | 2020-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN113924387A | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 盛殊然;林·張;黃際勇;約瑟夫·C·沃納;斯坦利·吳;馬赫什·阿迪納特·卡納瓦德;陳奕凱;宜興·林;英瑪 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 高溫 腐蝕 環(huán)境 支承 | ||
本公開內(nèi)容的多個實(shí)施方式一般涉及用于清潔處理腔室的設(shè)備和方法。在一個實(shí)施方式中,基板支承件蓋包括用氟化物涂層涂布的塊狀構(gòu)件。在清潔處理期間,基板支承件蓋放置在布置在處理腔室中的基板支承件上。氟化物涂層不會與清潔物質(zhì)反應(yīng)。基板支承件蓋保護(hù)基板支承件防止與清潔物質(zhì)反應(yīng),導(dǎo)致降低在腔室部件上形成的凝結(jié),進(jìn)而導(dǎo)致降低在后續(xù)處理中基板的污染。
領(lǐng)域
本公開內(nèi)容的多個實(shí)施方式一般涉及用于清潔處理腔室的設(shè)備和方法。
相關(guān)技術(shù)描述
在化學(xué)氣相沉積(CVD)處理期間,反應(yīng)氣體可產(chǎn)生沉積在腔室的內(nèi)側(cè)表面上的成分。隨著這些沉積物的積累,殘留物可能剝落并且污染進(jìn)一步的處理步驟。這種殘留沉積物也能不利地影響其他處理?xiàng)l件,例如沉積均勻性、沉積率、膜應(yīng)力、粒子效能和類似處理?xiàng)l件。
因此,處理腔室通常被周期性地清潔,以移除殘留材料。清潔處理通常涉及等離子體增強(qiáng)干式清潔技術(shù)。蝕刻劑通常是含鹵素或氧的氣體,例如含氟氣體或氧氣,能與基板支承件的表面反應(yīng),以形成氟化物或氧化物。在某些應(yīng)用中,基板支承件維持在提升的溫度下,例如大于500攝氏度。在提升的溫度下,氟化物或氧化物升華,并且在比基板支承件更低的溫度下的基板部件上凝結(jié),例如噴頭。凝結(jié)物在CVD處理期間能造成基板的污染,并且能導(dǎo)致CVD處理?xiàng)l件的改變,例如沉積率和均勻性偏移。
傳統(tǒng)上,基板支承件用薄涂層涂布,例如基于釔的涂層,薄涂層是耐清潔氣體的。然而,隨著基板放置在基板支承件上和從基板支承件移除,涂層可能被刮除。此外,由于附接至基板支承件的尺寸和部件,涂布基板支承件是昂貴和困難的。
因此,需要強(qiáng)化的設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
本公開內(nèi)容的多個實(shí)施方式一般涉及用于清潔處理腔室的設(shè)備和方法。在一個實(shí)施方式中,一種處理腔室,包括腔室主體;和基板支承件,基板支承件布置在腔室主體中。基板支承件包括表面和連接至表面的側(cè)表面。處理腔室進(jìn)一步包括基板支承件蓋,基板支承件蓋可移除地布置在基板支承件上。基板支承件蓋包括氟化物材料,并且暴露至處理腔室中的處理區(qū)域。
在另一個實(shí)施方式中,一種方法,包括從處理腔室移除基板,和在布置在處理腔室中的基板支承件上放置基板支承件蓋。基板支承件蓋包括氟化物材料。方法進(jìn)一步包括當(dāng)基板支承件蓋在基板支承件上時,在處理腔室中實(shí)行清潔處理,基板支承件蓋的氟化物材料在清潔處理期間暴露至清潔氣體或清潔物質(zhì)(cleaning species)。
在另一個實(shí)施方式中,一種基板支承件蓋,包括板,板包括氟化物材料。基板支承件蓋進(jìn)一步包括側(cè)蓋,側(cè)蓋可移除地耦接至板,并且側(cè)蓋延伸穿過板。
附圖說明
以此方式能詳細(xì)理解本公開內(nèi)容以上記載的特征,并且以上簡要概述的本公開內(nèi)容的更具體說明可通過參考多個實(shí)施方式而獲得,某些實(shí)施方式圖示于附圖中。然而,應(yīng)理解附圖僅圖示多個示例性實(shí)施方式,且因此不應(yīng)考慮為本公開內(nèi)容范圍的限制,并且可認(rèn)可其他多個均等效果的實(shí)施方式。
圖1是處理腔室的概要截面?zhèn)纫晥D。
圖2A-圖2E是具有基板支承件蓋的基板支承件的概要側(cè)視圖,該基板支承件蓋布置在基板支承件上。
圖3A-圖3F是基板支承件蓋的側(cè)視圖。
圖4A-圖4C是具有基板支承件蓋的基板支承件的概要側(cè)視圖,該基板支承件蓋布置在基板支承件上。
圖5A-圖5D是基板支承件蓋的側(cè)視圖。
圖6A-圖6C是基板支承件蓋的各種視圖。
圖7是流程圖,顯示用于操作圖1的處理腔室的方法。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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