[發明專利]用于光刻裝置的反射鏡

在審

• 申請號: 202080037201.2
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN113841071A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: J·H·J·穆爾斯;V·Y·巴寧;A·尼基佩洛維;M·A·范德凱克霍夫;P·雅格霍比
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G02B5/09
• 分類號: G02B5/09;G02B5/18;G03F7/20;G21K1/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 趙林琳;鄭振

一種反射鏡，包括本體和由本體限定的表面。本體包括多個層。當具有第一波長的輻射入射到該表面上時，該多個層被布置成充當具有所述第一波長的輻射的多層布拉格反射器。表面的局部切面相對于多個層的局部切面以非零角度傾斜。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年5月21日提交的EP申請19175714.5和于2019年7月5日提交的EP申請19184661.7的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及一種反射鏡。特別地，該反射鏡適用于極紫外(EUV)輻射，并且可以用于EUV光刻裝置中。

背景技術

光刻裝置是被構造成將期望的圖案施加到襯底上的機器。光刻裝置可用于例如集成電路(IC)的制造中。光刻裝置可以例如將圖案從圖案形成器件(例如掩模)投射到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了在襯底上投射圖案，光刻裝置可以使用電磁輻射。該輻射的波長決定了可以在襯底上形成的特征的最小尺寸。與使用例如波長為193nm的輻射的光刻裝置相比，使用波長在4－20nm范圍內，例如6.7nm或13.5nm的極紫外(EUV)輻射的光刻裝置可用于在襯底上形成更小的特征。

產生將在光刻裝置中使用的EUV輻射的輻射源還可以產生微粒物質和具有不對應于EUV的波長的輻射(“帶外”輻射)。這種微粒物質和帶外輻射可以傳播通過光刻裝置并引起許多問題。

例如，通過光刻裝置傳播的微粒物質可能導致圖案形成器件或其它光學部件(例如光刻裝置內的反射鏡)的損壞或失效。這種微粒物質還可能導致轉移到襯底上的圖案的誤差。傳播通過光刻裝置的帶外輻射可導致由襯底接收的劑量的增加，這可導致轉移到襯底的圖案的誤差。傳播通過光刻裝置的帶外輻射還可導致襯底所接收的熱負荷的增加，這可導致襯底的熱變形和隨后轉移到襯底的圖案的誤差。

本發明的實施例涉及一種減少(并且可以完全防止)微粒物質和帶外輻射傳播通過光刻裝置的反射鏡的新設計。

發明內容

根據本發明的第一方面，提供了一種反射鏡。所述反射鏡可包括：包括多個層的本體；以及由所述本體限定的表面。當具有第一波長的輻射入射到該表面上時，該多個層可以被布置成用作具有所述第一波長的輻射的多層布拉格反射器。表面的局部切面可以相對于多個層的局部切面以非零角度傾斜。

該輻射可以是電磁輻射，或者可以稱為光。

根據本發明第一方面的反射鏡可以具有本體，該本體包括被布置用作具有第一波長的輻射的多層布拉格反射器的多個單獨層。多個層可以包括與由第二材料形成的層(“第二組”層)交錯的由第一材料形成的層(“第一組”層)。可以在第一組的層和第二組的層之間提供額外的層，以防止在本體的生產過程中材料的混合。

本體可以限定傾斜表面。特別地，多個層可以限定傾斜表面。

通常，當具有第一波長的輻射入射到表面上時，入射到多個層的相鄰層之間的每個界面上的輻射的一部分可以被反射。應當理解，對于用作具有第一波長的輻射的多層布拉格反射器的多個層，所有這樣的反射部分可以是同相的以便相長干涉。

根據本發明的第一方面的反射鏡是有利的，因為它可以用作具有第一波長的輻射的反射器(使用多個層作為多層布拉格反射器)，并且此外，因為表面的局部切面相對于多個層的局部切面以非零角度傾斜，所以反射鏡還可以用于濾除微粒和具有不同波長的輻射，如現在所討論的。

波長大于第一波長的輻射可以被稱為具有第二波長的輻射。可能是波長大于第一波長的輻射不能分辨由本體的多個層的層之間的界面限定的結構。因此，當具有大于第一波長的波長的輻射入射到本體的表面上時，該輻射所經歷的主要界面可以是該表面和其中設置有反射鏡的環境之間的界面(即，該表面)。因此，具有第一波長的輻射將主要從本體的層反射，而具有比第一波長更大的波長的輻射將主要從表面反射。