[發(fā)明專利]用于光刻裝置的反射鏡

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080037201.2
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN113841071A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設計）人: J·H·J·穆爾斯;V·Y·巴寧;A·尼基佩洛維;M·A·范德凱克霍夫;P·雅格霍比
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G02B5/09
• 分類號: G02B5/09;G02B5/18;G03F7/20;G21K1/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 趙林琳;鄭振

1.一種反射鏡，包括：

包括多個層的本體；以及

由所述本體限定的表面；

其中所述多個層被布置成：當具有第一波長的輻射入射到所述表面上時，充當具有所述第一波長的輻射的多層布拉格反射器；以及

其中所述表面的局部切面相對于所述多個層的局部切面以非零角度傾斜。

2.根據權利要求1所述的反射鏡，其中所述表面由透射極紫外輻射的材料形成。

3.根據權利要求2所述的反射鏡，其中所述表面由透射大于50％的入射極紫外輻射的材料形成。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的反射鏡，其中所述表面由所述多個層中的一層或多層形成。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的反射鏡，其中所述本體還包括設置在所述多個層上的補充構件，并且其中所述表面由所述補充構件限定。

6.根據權利要求5所述的反射鏡，其中所述補充構件具有在至少一個空間維度上變化的尺寸。

7.根據權利要求5或6所述的反射鏡，其中所述補充構件與所述補充構件設置在其上的所述多個層的表面不共形。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的反射鏡，其中所述補充構件由透射極紫外輻射的材料形成。

9.根據權利要求5至8中任一項所述的反射鏡，其中所述補充構件由透射大于50％的入射極紫外輻射的材料形成。

10.根據權利要求5至9中任一項所述的反射鏡，其中所述補充構件至少部分地由對極紫外輻射具有小于或等于0.1的消光系數的元件形成。

11.根據權利要求5至8中任一項所述的反射鏡，其中所述補充構件由碳(C)、硅(Si)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、釕(Ru)或銠(Rh)中的至少一種形成。

12.根據前述權利要求中任一項所述的反射鏡，其中所述表面的所述局部切面在所述表面的大部分上相對于所述多個層的所述局部切面以非零角度傾斜。

13.根據前述權利要求中任一項所述的反射鏡，其中所述多個層和所述表面被布置成使得：當具有第二波長的輻射入射到所述表面上時，具有所述第二波長的輻射優(yōu)先從所述表面反射。

14.根據前述權利要求中任一項所述的反射鏡，其中所述本體設置有帽，所述帽是共形涂層，所述共形涂層被布置成基本平行于所述本體的主要部分，并且其中所述帽限定所述表面。

15.根據權利要求14所述的反射鏡，其中所述帽由透射極紫外輻射的材料形成。

16.根據權利要求15所述的反射鏡，其中所述帽由透射大于50％的入射極紫外輻射的材料形成。

17.根據權利要求14至16中任一項所述的反射鏡，其中所述帽至少部分地由對于極紫外輻射具有小于或等于0.1的消光系數的元件形成。

18.根據權利要求14至17中任一項所述的反射鏡，其中所述帽由以下各項中的至少一項形成：鋯(Zr)、釔(Y)、釕(Ru)或銠(Rh)；由鋯(Zr)、釔(Y)、釕(Ru)或銠(Rh)形成的任何氧化物、氮化物或硼化物陶瓷；或其任何組合。

19.根據權利要求14至18中任一項所述的反射鏡，其中所述帽被配置為使得：當具有第二波長的輻射入射到所述帽上時，具有所述第二波長的輻射優(yōu)先從所述帽反射。