[發明專利]防止材料注入的材料滴落在審
| 申請號: | 202080032904.6 | 申請日: | 2020-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN113767457A | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發明(設計)人: | 青木豐廣;中村英司;久田隆史 | 申請(專利權)人: | 國際商業機器公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 申發振 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防止 材料 注入 滴落 | ||
1.一種用于注入材料的注入裝置,所述裝置包括:
罐,用于儲存材料;
頭主體,其具有用于與基底接觸的表面和在所述表面處開口的開口部分,所述開口部分用于排出與所述罐流體連通的所述材料;以及
至少一個構件,連接至所述開口部,所述至少一個構件允許氣體流入和流出所述開口部。
2.根據權利要求1所述的注入裝置,其中,所述開口部具有狹縫的形式,并且所述至少一個構件中的每一個在遠離所述狹縫的中間的位置處連接至所述開口部。
3.根據權利要求2所述的注入裝置,其中,所述至少一個構件包括第二罐,所述第二罐配備有用于打開和關閉所述第二罐與外部之間的通道的閥。
4.根據權利要求3所述的注入裝置,其中,所述頭主體包括連接至所述罐的第一連接通道和連接至所述第二罐的第二連接通道,所述開口部分具有連接至所述第一連接通道的第一端和連接至所述第二連接通道的第二端。
5.根據權利要求2所述的注入裝置,其中,所述至少一個構件中的每一個包括多孔構件,所述多孔構件在將所述氣體與所述材料分離的同時允許所述氣體流過所述多孔構件。
6.根據權利要求5所述的注入裝置,其中,所述至少一個構件包括兩個構件,并且所述頭主體包括分別連接至所述罐的第一連接通道和分別連接至所述兩個構件的兩個第二連接通道,所述第一連接通道連接至所述開口部分的中間,所述開口部分具有分別連接至所述兩個第二連接通道的第一端和第二端。
7.根據權利要求2所述的注入裝置,其中,所述至少一個構件中的每一個均包括在所述頭主體處開放的一個或多個孔,所述一個或多個孔允許所述氣體流過所述一個或多個孔。
8.根據權利要求2所述的注入裝置,其中,所述至少一個構件中的每一個均包括延伸管,所述延伸管配備有用于打開和關閉所述延伸管與外部之間的通道的閥。
9.根據權利要求2所述的注入裝置,其中,所述儲罐配備有開關元件,所述開關元件被配置為打開或關閉并且根據操作狀態連接至周圍環境、正壓管線或真空管線。
10.根據權利要求2所述的注入裝置,其中,所述注入設備被配置為在所述基底上被掃描,所述開口部分被所述基底覆蓋并且被所述材料填充。
11.根據權利要求2所述的注入裝置,其中,所述注入裝置被配置為響應于完成所述材料從所述開口部分到所述罐的輸送并且密封或真空所述罐而從所述基底被抬升。
12.根據權利要求2所述的注入裝置,其中,所述材料是熔融焊料,所述注入設備是注塑焊接(IMS)頭并且所述熔融焊料注入到形成在所述基底的表面處的孔或腔中。
13.一種用于注入材料的方法,所述方法包括:
將注入裝置放置在基底上,該注入裝置包括用于儲存材料的罐;頭主體,所述頭主體具有與所述基底接觸的表面以及在所述表面處開口并且被所述基底覆蓋的開口部;以及至少一個構件,連接到所述開口部分,所述至少一個構件允許氣體從中流過;
從所述開口部排出所述材料;以及
在通過所述至少一個構件將氣體引入所述開口部的同時,將填充在所述開口部中的所述材料輸送至所述注入裝置的所述罐。
14.根據權利要求13所述的方法,其中,所述開口部分具有狹縫的形式,并且所述至少一個構件中的每一個在遠離所述狹縫的中間的位置處連接至所述開口部分。
15.根據權利要求14所述的方法,其中,所述至少一個構件包括第二罐,所述第二罐配備有用于打開和關閉所述第二罐與外部之間的通道的閥,所述氣體通過所述閥和所述第二罐被帶入所述開口部中。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





