[發(fā)明專利]低溫可偏置基板支撐件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080032435.8 | 申請日: | 2020-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN113767463A | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 布賴恩·T·韋斯特;桑德拉賈·吉姆布林甘姆;丁克什·胡德利·索曼納 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;H05B1/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低溫 偏置 支撐 | ||
1.一種基板支撐件,包含:
主體,所述主體具有加熱元件;和
過溫開關(guān),所述過溫開關(guān)設(shè)置在所述基板支撐件中且能夠操作以響應(yīng)于檢測到超過預(yù)定溫度的溫度而切換狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的基板支撐件,進(jìn)一步包含:
冷卻板,所述冷卻板具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面,所述第一表面被設(shè)置為與所述主體相鄰。
3.如權(quán)利要求2所述的基板支撐件,其中所述冷卻板進(jìn)一步包含:
凹槽,所述凹槽形成在所述冷卻板的所述第二表面中,所述過溫開關(guān)設(shè)置在所述凹槽中;
電絕緣體,所述電絕緣體定位在所述凹槽與所述過溫開關(guān)之間;和
非導(dǎo)電性的緊固件,所述非導(dǎo)電性的緊固件將所述過溫開關(guān)固定到所述冷卻板。
4.如權(quán)利要求2所述的基板支撐件,進(jìn)一步包含:
陶瓷墊,所述陶瓷墊使得所述過溫開關(guān)與所述冷卻板電絕緣。
5.如權(quán)利要求2所述的基板支撐件,其中所述主體由包含陶瓷的材料制成。
6.如權(quán)利要求2所述的基板支撐件,進(jìn)一步包含:
開口,所述開口穿過所述冷卻板形成;
電絕緣體,所述電絕緣體被設(shè)置為穿過所述開口中,所述電絕緣體包含:
第一孔,所述第一孔具有第一電力引線,所述第一電力引線延伸穿過所述第一孔并且耦接到設(shè)置在所述主體中的電極;
第二孔,所述第二孔具有第二電力引線,所述第二電力引線延伸穿過所述第二孔并且耦接到所述電極;
第三孔,所述第三孔具有第三電力引線,所述第三電力引線延伸穿過所述第三孔并且耦接到設(shè)置在所述主體中的加熱器;
第四孔,所述第四孔具有第四電力引線,所述第四電力引線延伸穿過所述第四孔并且耦接到所述加熱器;
第五孔,所述第五孔具有入口管,所述入口管延伸穿過所述第五孔并且耦接到所述冷卻板;
第六孔,所述第六孔具有出口管,所述出口管延伸穿過所述第六孔并且耦接到所述冷卻板;
第一槽,所述第一槽形成至所述電絕緣體的與所述主體相對的表面中,所述第一槽具有第一低電壓引線,所述第一低電壓引線延伸穿過所述第一槽并且耦接到控制電路;和
第二槽,所述第二槽形成至所述電絕緣體的與所述主體相對的所述表面中,所述第二槽具有第二低電壓引線,所述第二低電壓引線延伸穿過所述第二槽并且耦接到所述控制電路。
7.如權(quán)利要求6所述的基板支撐件,進(jìn)一步包含:
殼體,所述殼體密封地耦接到所述主體并且與所述主體限定內(nèi)部容積,所述冷卻板被設(shè)置在所述內(nèi)部容積中;和
桿,所述桿密封地耦接到所述殼體,其中所述第一電力引線、所述第二電力引線、所述第三電力引線和所述第四電力引線、所述第一低電壓引線和所述第二低電壓引線、和所述入口管和所述出口管被路由穿過所述桿。
8.一種基板支撐件,包含:
主體,所述主體具有設(shè)置在所述主體中的加熱元件;
冷卻板,所述冷卻板具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面,所述第一表面被設(shè)置為與所述主體相鄰;
凹槽,所述凹槽形成在所述冷卻板的所述第二表面中;
開口,所述開口穿過所述冷卻板形成;
中央絕緣體,所述中央絕緣體設(shè)置在所述開口中;
過溫開關(guān),所述過溫開關(guān)設(shè)置在所述凹槽中,并且能夠操作以響應(yīng)于所述冷卻板超過預(yù)定溫度而切換狀態(tài);和
電絕緣體,所述電絕緣體設(shè)置在所述凹槽與所述過溫開關(guān)之間。
9.如權(quán)利要求8所述的基板支撐件,其中所述電絕緣體由陶瓷材料制成,并且使得所述過溫開關(guān)與所述冷卻板電絕緣。
10.如權(quán)利要求8所述的基板支撐件,進(jìn)一步包含:
通道,所述通道形成在所述冷卻板內(nèi),所述通道被配置成耦接至流體源。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





