[發明專利]低溫可偏置基板支撐件

在審

• 申請號: 202080032435.8
• 申請日: 2020-03-23
• 公開（公告）號: CN113767463A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 布賴恩·T·韋斯特;桑德拉賈·吉姆布林甘姆;丁克什·胡德利·索曼納
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;H05B1/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

在本文中描述的實施方式涉及基板支撐件和用于控制該基板支撐件的溫度的技術。該基板支撐件包含：加熱元件和設置在加熱元件中的過溫開關。該加熱元件加熱該基板支撐件和設置在該基板支撐件上的基板。該過溫開關控制該加熱元件和該基板支撐件的溫度。該過溫開關能夠操作以響應于該基板支撐件的溫度超過預定溫度而切換狀態。

背景

領域

本公開內容的實施方式總體涉及用于制造微電子裝置的工藝腔室，并且更特定而言涉及設置在腔室中的基板支撐件。

相關技術的說明

基板支撐件被廣泛地使用于在工藝腔室中處理基板(例如半導體晶片)期間保持基板。在工藝腔室中執行的工藝可以包括：物理氣相沉積、化學氣相沉積或蝕刻。一種特定的基板支撐件是靜電吸盤。基板支撐件可以由介電材料或半導電材料制成，其中可以跨介電材料或半導電材料產生靜電夾持場。

靜電吸盤通常包含：嵌入靜電吸盤中的一個或多個電極。一個或多個加熱元件也可以嵌入于靜電吸盤中。在處理期間，使用加熱元件以加熱靜電吸盤。由于工藝腔室中熱量的熱傳導，靜電吸盤的溫度可能會持續升高到高于加熱器的溫度。若靜電吸盤的溫度升高到高于靜電吸盤的最高溫度，則可能會對靜電吸盤造成損壞。

因此，需要用于大體上減少基板支撐件過熱情況的發生的改進的設備和方法。

概述

在一個實施方式中，提供一種基板支撐件，該基板支撐件包括主體，該主體具有加熱元件。過溫開關(over temperature switch)被設置在該基板支撐件中。該過溫開關能夠操作以響應于檢測到超過預定溫度的溫度而切換狀態。在另一個實施方式中，提供包含靜電吸盤的基板支撐件。具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面的冷卻板被設置為：使得該第一表面與該靜電吸盤相鄰。在該冷卻板的該第二表面中形成凹槽。穿過該冷卻板形成開口。中央絕緣體設置在該開口中。過溫開關設置在該凹槽中，并且能夠操作以響應于該冷卻板超過預定溫度而切換狀態。電絕緣體設置在該凹槽與該過溫開關之間。

在另一個實施方式中，提供一種包含靜電吸盤的基板支撐件。具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面的冷卻板被設置為：使得該第一表面與該靜電吸盤相鄰。在該冷卻板的該第二表面中形成凹槽。穿過該冷卻板形成開口。中央絕緣體設置在該開口中。過溫開關設置在該凹槽中，并且能夠操作以響應于該冷卻板超過預定溫度而切換狀態。在中央絕緣體中形成一個或多個槽。一個或多個低電壓電纜耦接到過溫開關，并且至少部分地設置在槽中。電絕緣體設置在該凹槽與該過溫開關之間。

附圖簡要說明

為了使得可詳細地理解前文引述的本公開內容的特征的方式，可通過參照實施方式獲得上文簡要概述的本公開內容的更特定說明，這些實施方式中的一些實施方式被圖示于附圖中。然而，應注意到：附圖僅圖示示例性的實施方式，因而不被認為是對本公開內容的范圍的限制，因為本公開內容可容許其他同等有效的實施方式。

圖1是根據本公開內容的一個實施方式的工藝腔室的示意圖。

圖2是根據本公開內容的一個實施方式的基板支撐件的放大圖。

圖3是根據本公開內容的一個實施方式的冷卻板的示意圖。

圖4是根據本公開內容的一個實施方式的基板支撐件的部件的示意圖。

圖5是根據本公開內容的一個實施方式的絕緣體的透視圖。

為了促進理解，在可能的情況中已經使用相同的參考數字來指定多幅圖共有的相同元件。考慮到：一個實施方式的元件和特征可被有利地并入其他實施方式中，而無需進一步的詳述。

具體說明