[發(fā)明專利]平坦化外延橫向生長(zhǎng)層上的表面的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080024824.6
• 申請(qǐng)日: 2020-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN113632200A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 神川剛;S.甘德羅圖拉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 加利福尼亞大學(xué)董事會(huì)
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;C30B25/02;C30B29/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍;潘曉波

1.一種方法，包括：

在基板上的生長(zhǎng)限制掩模上或上方生長(zhǎng)一個(gè)或多個(gè)外延橫向過度生長(zhǎng)(ELO)III族氮化物層；

在相鄰的ELO III族氮化物層彼此聚結(jié)之前停止所述ELO III族氮化物層的生長(zhǎng)；

移除所述生長(zhǎng)限制掩模中的至少部分；以及

在所述ELOIII族氮化物層和所述基板上或上方生長(zhǎng)一個(gè)或多個(gè)III族氮化物器件層；

其中在生長(zhǎng)所述ELOIII族氮化物層之后和在生長(zhǎng)所述III族氮化物器件層中的至少一些之前移除所述生長(zhǎng)限制掩模。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物器件層包括p型層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述生長(zhǎng)限制掩模中被移除的至少部分生長(zhǎng)限制掩模包括所述生長(zhǎng)限制掩模中未被所述ELO III族氮化物層覆蓋的至少部分生長(zhǎng)限制掩模。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物器件層包括低溫生長(zhǎng)層、含銦層、含鋁層和/或p型層，并且在生長(zhǎng)所述低溫生長(zhǎng)層、含銦層、含鋁層和/或p型層之前移除所述生長(zhǎng)限制掩模。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在生長(zhǎng)所述p型層之前移除所述生長(zhǎng)限制掩模以避免由于所述生長(zhǎng)限制掩模的分解而對(duì)所述p型層進(jìn)行補(bǔ)償。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在生長(zhǎng)所述III族氮化物器件層的至少一個(gè)有源層之前移除所述生長(zhǎng)限制掩模。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在生長(zhǎng)所述III族氮化物器件層之前移除所述生長(zhǎng)限制掩模，并且所述III族氮化物器件層的生長(zhǎng)導(dǎo)致移除所述生長(zhǎng)限制掩模的底層的生長(zhǎng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述ELO III族氮化物層和所述III族氮化物器件層一起包括島狀I(lǐng)II族氮化物半導(dǎo)體層，并且所述底層不連接到所述島狀I(lǐng)II族氮化物半導(dǎo)體層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述ELO III族氮化物層的高度防止所述底層生長(zhǎng)或減慢所述底層的生長(zhǎng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述底層的寬度取決于所述ELO III族氮化物層和所述III族氮化物器件層的側(cè)分面的形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述側(cè)分面的邊緣位于底部邊緣線外側(cè)，使得所述側(cè)分面的邊緣在生長(zhǎng)期間減少氣體的供應(yīng)，這使得所述底層的寬度更長(zhǎng)。

12.一種通過權(quán)利要求1的方法制造的器件。

13.一種器件，包括：

生長(zhǎng)在一個(gè)或多個(gè)外延橫向過度生長(zhǎng)(ELO)III族氮化物層上的一個(gè)或多個(gè)III族氮化物器件層，其中所述一個(gè)或多個(gè)ELO III族氮化物層包括所述器件的底部區(qū)域，并且所述一個(gè)或多個(gè)III族氮化物器件層不具有邊緣生長(zhǎng)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中，所述器件的側(cè)分面不具有位于底部邊緣線外側(cè)的邊緣，這使得所述底部區(qū)域的寬度更短。