[發明專利]平坦化外延橫向生長層上的表面的方法

在審

• 申請號: 202080024824.6
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN113632200A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 神川剛;S.甘德羅圖拉
• 申請（專利權）人: 加利福尼亞大學董事會
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C30B25/02;C30B29/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍;潘曉波

一種平坦化外延橫向過度生長(ELO)層上的表面的方法，導致獲得具有島狀III族氮化物半導體層的平滑表面。島狀III族氮化物半導體層是通過在ELO層彼此聚結之前停止它們的生長而形成的。然后，在生長至少一些III族氮化物器件層之前移除生長限制掩模。移除掩模減少了對島狀III族氮化物半導體層的側分面的過量氣體供應，這有助于在島狀III族氮化物半導體層上獲得平滑的表面。該方法還避免了由來自掩模的分解的n型摻雜劑(諸如硅和氧原子)對p型層的補償。

相關申請的交叉引用

根據35U.S.C第119(e)節，本申請要求以下共同待決且共同轉讓的申請的權益：

由Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula于2019年3月1日提交的、題為“平坦化外延橫向生長層上的表面的方法(METHOD FOR FLATTENING A SURFACE ON ANEPITAXIAL LATERAL GROWTH LAYER)”、代理案卷號為GC 30794.0720USP1(UC 2019-409-1)的美國臨時申請序列號62/812,453；

該申請通過引用并入本文。

本申請與以下共同待決且共同轉讓的申請有關：

由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2019年10月24日提交的、題為“移除基板的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE)”、代理案卷號為30794.0653USWO(UC 2017-621-1)的美國發明專利申請號16/608,071，該申請根據35U.S.C第365(c)節要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2018年5月7日提交的、題為“移除基板的方法(METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE)”、代理案卷號為30794.0653WOU1(UC 2017-621-2)的共同待決和共同轉讓的PCT國際專利申請號PCT/US18/31393的權益，該申請根據35U.S.C第119(e)節要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2017年5月5日提交的、題為“移除基板的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE)”、代理案卷號為30794.0653USP1(UC 2017-621-1)的共同待決和共同轉讓的美國臨時專利申請號62/502,205的權益；

由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年9月17日提交的、題為“使用裂開技術移除基板的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH ACLEAVING TECHNIQUE)”、代理案卷號為30794.0659WOU1(UC 2018-086-2)的PCT國際專利申請號PCT/US18/51375，該申請根據35U.S.C第119(e)節要求由Takeshi Kamikawa、SrinivasGandrothula和Hongjian Li于2017年9月15日提交的、題為“使用裂開技術移除基板的方法(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH ACLEAVING TECHNIQUE)”、代理案卷號為30794.0659USP1(UC 2018-086-1)的共同待決和共同轉讓的美國臨時專利申請號62/559,378的權益；