[發(fā)明專利]表面處理銅箔、使用了該表面處理銅箔的覆銅層疊板以及印刷電路板

在審

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• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN113795614A
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐野惇郎
• 申請（專利權(quán)）人: 古河電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: C25D5/16
• 分類號: C25D5/16;C25D7/06;H05K3/38
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 魯煒;梅黎

本發(fā)明的目的在于，提供一種特別是在用于印刷電路板的導(dǎo)體電路的情況下，能實(shí)現(xiàn)傳輸特性、密合性、耐熱性以及基板耐濕可靠性，并且無落粉的表面處理銅箔、使用了該表面處理銅箔的覆銅層疊板以及印刷電路板。該表面處理銅箔具有包含在銅箔基體的至少一個(gè)面形成粗化粒子而成的粗化處理層的表面處理被膜，在通過掃描電子顯微鏡(SEM)對該表面處理銅箔的剖面進(jìn)行觀察時(shí)，在該表面處理被膜的寬度方向75μm的區(qū)域中，該粒子的粒子高度的平均值為0.8～2.0μm，該粗化粒子的該粒子高度(h)與粒子寬度(w)之比(h/w)的平均值為1.5～4.5，該粗化粒子中，滿足必要條件(I)～(IV)的粗化粒子(P)存在1～60個(gè)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種表面處理銅箔、使用了該表面處理銅箔的覆銅層疊板以及印刷電路板。

背景技術(shù)

近年來，如服務(wù)器/路由器、智能手機(jī)等超過1GHz的高頻對應(yīng)設(shè)備增加，實(shí)際上供高頻信號流通的銅箔也要求優(yōu)異的傳輸特性。同時(shí)，至今也要求作為可靠性的指標(biāo)的剝離強(qiáng)度為一定以上的水準(zhǔn)，要求以高水平兼顧傳輸特性與剝離強(qiáng)度(以下稱為“密合性”)。

通常，作為提高樹脂基材與銅箔表面之間的粘接力的方法，可列舉以下的方法：通過電鍍、蝕刻等，在其表面形成粗化處理層(形成有粗化粒子而成的層)，得到與樹脂基材的物理粘接效果(錨固效應(yīng))，由此提高粘接力。

但是，若為了有效提高銅箔表面與樹脂基材之間的粘接性(密合性)，而增大形成于銅箔表面的粗化粒子的粒子尺寸時(shí)，因集膚效應(yīng)而導(dǎo)致傳輸損耗增加。

如此，在銅箔層疊板中，提高銅箔與樹脂基材的密合性、與抑制傳輸損耗處于相互權(quán)衡(trade-off)的關(guān)系。

因此，到至今用于覆銅層疊板的銅箔中，研究兼顧提高銅箔與樹脂基材的密合性和抑制傳輸損耗。例如，專利文獻(xiàn)1～4中提出了通過適當(dāng)控制粗化粒子的形狀，而主要提高銅箔與樹脂基材的密合性的技術(shù)。

然而，在如上述的現(xiàn)有技術(shù)中，通過在粗化面形成微細(xì)凹凸而使比表面積增加，因此與樹脂基材貼合時(shí)，根據(jù)樹脂基材的種類，有時(shí)引起樹脂對粗化面的填充不良。這種情況下，存在樹脂基材與銅箔間產(chǎn)生間隙，特別是導(dǎo)致耐熱性和基板耐濕可靠性變差的問題。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開2017-515456號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利特開2017-520558號公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本專利特開2015-147978號公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：日本專利特開2018-172790號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問題

因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種特別是在用于印刷電路板的導(dǎo)體電路的情況下能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的傳輸特性、密合性、耐熱性以及基板耐濕可靠性，并且無落粉的表面處理銅箔、使用了該表面處理銅箔的覆銅層疊板以及印刷電路板。

用于解決問題的方案

本發(fā)明人等進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在具有包含在銅箔基體的至少一個(gè)面形成粗化粒子而成的粗化處理層的表面處理被膜的表面處理銅箔中，通過設(shè)為如下構(gòu)成，可得到特別是在用于印刷電路板的導(dǎo)體電路的情況下能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的傳輸特性、密合性、耐熱性以及基板耐濕可靠性的表面處理銅箔，從而完成了本發(fā)明，上述構(gòu)成為：在通過掃描電子顯微鏡(SEM)對所述表面處理銅箔的剖面進(jìn)行觀察時(shí)，在所述表面處理被膜的表面的寬度方向75μm的區(qū)域中，所述粗化粒子的粒子高度(h)的平均值為0.8～2.0μm，所述粗化粒子的所述粒子高度(h)與粒子寬度(w)之比(h/w)的平均值為1.5～4.5，所述粗化粒子中滿足下述必要條件(I)～(IV)的粗化粒子(P)存在1～60個(gè)。