[發明專利]光檢測器

在審

• 申請號: 202080023403.1
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN113614931A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 井上曉登
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;G01J1/42;G01J1/44;H01L27/146;H01L31/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 安香子

光檢測器(100)具備對于入射光具有靈敏度的第1APD(10)以及不論入射光如何都流過一定的電流的第2APD(20)。第1APD(10)的一方的端子與第2APD(20)的一方的端子電連接，第1APD(10)的另一方的端子及第2APD(20)的另一方的端子連接于相互不同的電源，第1APD(10)的一方的端子及第2APD(20)的一方的端子都是陽極或都是陰極。

技術領域

本發明涉及光檢測器。

背景技術

近年來，在醫療、通信、生物、化學、監視、車載、放射線檢測等多方面的領域中利用高靈敏度的光檢測器。作為用于高靈敏度化的機構之一，使用雪崩光電二極管(AvalanchePhoto Diode；以下也稱作APD)。APD是利用雪崩擊穿將通過對入射到光電變換層中的光進行光電變換而產生的信號電荷進行倍增，從而提高光的檢測靈敏度的光電二極管。通過使用APD，即使是一點點的光子的數量也能夠檢測到。

例如，提出了利用APD的光子計數型的光檢測器(例如，參照專利文獻1)以及高靈敏度圖像傳感器(例如，參照專利文獻2)。

此外，例如作為APD的構造的一例，公開了拉通型的APD(例如，參照專利文獻2及專利文獻3)。

為了穩定利用APD，需要在從低溫到高溫的較大的溫度范圍中光特性不變化。特別是，由于根據施加于APD的反偏壓的大小而APD的光特性變化，所以公開了設置對溫度進行測量并向施加電壓反饋的電路或元件的結構(參照專利文獻4及專利文獻5)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2008/004547號

專利文獻2：國際公開第2014/097519號

專利文獻3：日本特開2015-5752號公報

專利文獻4：日本特開2011-204879號公報

專利文獻5：日本特開平7-176782號公報

發明內容

發明要解決的課題

APD的特性(例如，倍增率及光子檢測概率等)具有溫度依賴性。在具備APD的光檢測器中，課題是降低APD的特性的溫度依賴性。

本發明提供一種能夠降低APD的特性的溫度依賴性的光檢測器。

用來解決課題的手段

有關本發明的一技術方案的光檢測器具備：第1雪崩光電二極管，對于入射光具有靈敏度；以及第2雪崩光電二極管，流過電流值的振幅比第1雪崩光電二極管小的電流；上述第1雪崩光電二極管的一方的端子與上述第2雪崩光電二極管的一方的端子電連接；上述第1雪崩光電二極管的另一方的端子及上述第2雪崩光電二極管的另一方的端子連接于相互不同的電源；上述第1雪崩光電二極管的上述一方的端子及上述第2雪崩光電二極管的上述一方的端子都是陽極或都是陰極。

發明效果

有關本發明的一技術方案的光檢測器能夠降低APD的特性的溫度依賴性。

附圖說明

圖1是表示有關實施方式1的光檢測器的電路結構的圖。

圖2A是表示用來模擬APD的特性的電路的圖。

圖2B是表示在圖2A的電路中流過電阻的電流的模擬的結果的圖。

圖3是有關實施方式1的光檢測器的平面圖。

圖4是圖3的IV－IV線的光檢測器的剖視圖。

圖5是具備具有遮光性的分離部的光檢測器的平面圖。