[發明專利]光檢測器

在審

• 申請號: 202080023403.1
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN113614931A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 井上曉登
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;G01J1/42;G01J1/44;H01L27/146;H01L31/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 安香子

1.一種光檢測器，其中，具備：

第1雪崩光電二極管，對于入射光具有靈敏度；以及

第2雪崩光電二極管，流過電流值的振幅比第1雪崩光電二極管小的電流；

上述第1雪崩光電二極管的一方的端子與上述第2雪崩光電二極管的一方的端子電連接；

上述第1雪崩光電二極管的另一方的端子及上述第2雪崩光電二極管的另一方的端子連接于相互不同的電源；

上述第1雪崩光電二極管的上述一方的端子及上述第2雪崩光電二極管的上述一方的端子都是陽極或都是陰極。

2.如權利要求1所述的光檢測器，其中，

對于上述第1雪崩光電二極管，施加絕對值比上述第1雪崩光電二極管的第1擊穿電壓大的第1反偏壓；

對于上述第2雪崩光電二極管，施加絕對值比上述第2雪崩光電二極管的第2擊穿電壓大的第2反偏壓。

3.如權利要求2所述的光檢測器，其中，

上述第1雪崩光電二極管的上述一方的端子及上述第2雪崩光電二極管的上述一方的端子經由第1電阻連接于第1電源；

上述第2雪崩光電二極管的上述另一方的端子經由第2電阻連接于第2電源；

上述第1雪崩光電二極管的上述另一方的端子經由第3電阻連接于第3電源；

上述第3電阻的電阻值比上述第1電阻的電阻值及上述第2電阻的電阻值都高。

4.如權利要求3所述的光檢測器，其中，

上述第3電阻通過作為淬滅元件發揮功能，使上述第1雪崩光電二極管中的倍增瞬態性地停止；

上述第1電阻及上述第2電阻不作為淬滅元件發揮功能，在上述第2雪崩光電二極管中流過恒定電流。

5.如權利要求4所述的光檢測器，其中，

作為上述第1反偏壓的絕對值與上述第1擊穿電壓的絕對值的差的第1過電壓，大于作為上述第2反偏壓的絕對值與上述第2擊穿電壓的絕對值的差的第2過電壓。

6.如權利要求2～5中任一項所述的光檢測器，其中，

上述第1雪崩光電二極管的上述一方的端子及上述第2雪崩光電二極管的上述一方的端子經由第1電阻連接于第1電源；

上述第2雪崩光電二極管的上述另一方的端子經由第2電阻連接于第2電源；

上述第1雪崩光電二極管的上述另一方的端子經由晶體管連接于第3電源；

在上述第1雪崩光電二極管的曝光期間，上述晶體管的電阻值比上述第1電阻的電阻值高。

7.如權利要求6所述的光檢測器，其中，

上述晶體管通過作為淬滅元件發揮功能，使上述第1雪崩光電二極管中的倍增瞬態性地停止；

上述第1電阻及上述第2電阻不作為淬滅元件發揮功能，在上述第2雪崩光電二極管中流過恒定電流。

8.如權利要求6或7所述的光檢測器，其中，

上述晶體管的電阻值由柵極電壓控制；

曝光期間中的上述晶體管的電阻值比復位期間中的上述晶體管的電阻值高。

9.如權利要求1～8中任一項所述的光檢測器，其中，

上述第2雪崩光電二極管被遮光。

10.如權利要求1～9中任一項所述的光檢測器，其中，

上述第1雪崩光電二極管及上述第2雪崩光電二極管配置于同一半導體基板。

11.如權利要求1～10中任一項所述的光檢測器，其中，

上述第1雪崩光電二極管由第1導電型的第1半導體層以及與上述第1導電型不同的第2導電型的第2半導體層形成；

上述第2雪崩光電二極管由上述第1導電型的第3半導體層以及上述第2導電型的第4半導體層形成；

上述光檢測器還具備用于對上述第2半導體層及上述第4半導體層賦予大致相同的電位的導電體。

12.如權利要求11所述的光檢測器，其中，

上述導電體是上述第2導電型的半導體層。