[發明專利]用于機器學習輔助的光學鄰近效應誤差校正的訓練方法

在審

• 申請號: 202080023323.6
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN113614638A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 文載寅
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20;G06N20/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

本文描述的是一種確定用于訓練機器學習模型以預測光學鄰近效應校正的代表圖案的方法。所述方法包括：獲得包括一組圖案群組的設計布局，每個圖案群組包括一個或更多個子群組；確定所述一組圖案群組中的一組代表圖案，所述代表圖案是其實例出現于所述一組圖案群組中的子群組；經由使用所述一組代表圖案來模擬光學鄰近效應校正過程，獲得與所述一組代表圖案相關聯的參考光學鄰近效應校正數據；和訓練機器學習模型，以基于所述一組代表圖案和所述一組參考光學鄰近效應校正數據來預測針對所述設計布局的光學鄰近效應校正。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年3月21日提交的美國申請62/821,789的優先權，所述申請的全部內容通過引用并入本文中。

技術領域

本文的描述涉及光刻設備和過程,且更具體地涉及用于對設計布局進行光學鄰近效應誤差校正的工具和方法。

背景技術

光刻設備可以用于例如集成電路(IC)或其它器件的制造中。在這種情況下，圖案形成裝置(例如，掩模)可以包括或提供與器件的單層對應的圖案(“設計布局”)，并且此圖案可以通過諸如穿過所述圖案形成裝置上的所述圖案來照射已經涂覆有輻射敏感材料(“抗蝕劑”)層的襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括一個或更多個管芯)的方法，被轉印到所述目標部分上。一般而言，單個襯底包括由所述光刻設備以一次一個目標部分的方式連續地將所述圖案轉印到其上的多個相鄰目標部分。在一種類型的光刻設備中，整個圖案形成裝置上的圖案被一次轉印到一個目標部分上；這樣的設備通常稱作為步進器。在一種替代的設備(通常稱為步進掃描設備)中，投影束沿給定的參考方向(“掃描”方向)在圖案形成裝置之上掃描，同時沿與所述參考方向平行或反向平行的方向同步地移動所述襯底。所述圖案形成裝置上的圖案的不同部分被逐漸地轉印到一個目標部分上。因為通常所述光刻設備將具有放大因數M(通常＜1)，所以所述襯底被移動的速度F將是所述投影束掃描所述圖案形成裝置的速度的M倍。

在器件制造過程中的將圖案從所述圖案形成裝置轉印至所述襯底的器件制作工序之前，所述襯底可能經歷所述器件制造過程的各種器件制作工序，諸如涂底料、抗蝕劑涂覆以及軟焙烤。在曝光之后，所述襯底可能經受器件制造過程的其它器件制作工序，諸如曝光后焙烤(PEB)、顯影、和硬焙烤。這一系列的器件制作工序被用作為制造器件(例如IC)的單個層的基礎。所述襯底之后可能經歷器件制造過程的各種器件制作工序，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，所有的這些工序都旨在最終完成所述器件的單個層。如果器件需要多個層，則針對每一層重復整個過程或其變形。最終，器件將存在于所述襯底上的每一目標部分中。如果存在多個器件，則之后通過諸如切片或鋸割等技術，使這些器件彼此分離，據此單個的器件能夠安裝在載體上，連接至引腳，等等。

因此，制造器件(諸如半導體器件)典型地涉及使用多個制作過程來處理襯底(例如，半導體晶片)，以形成所述器件的各種特征和多個層。這些層和特征典型地使用例如沉積、光刻、蝕刻、化學機械拋光、和離子注入來制造和處理。可以在襯底上的多個管芯上制作多個器件，之后將它們分離成單獨的器件。這種器件制造過程可以被認為是圖案化過程。圖案化過程涉及圖案化步驟，諸如使用光刻設備的光學和/或納米壓印光刻術，以將圖案提供到襯底上，而且圖案化過程典型地但可選地涉及一個或更多個相關的圖案處理步驟，諸如通過顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用焙烤工具來焙烤所述襯底、使用蝕刻設備來蝕刻所述圖案等。而且，所述圖案化過程典型地涉及一個或更多個量測過程。

發明內容

在實施例中，提供了一種確定用于訓練機器學習模型以預測光學鄰近效應校正的代表圖案的方法。所述方法包括：獲得包括一組圖案群組的設計布局，每個圖案群組包括一個或更多個子群組；確定所述一組圖案群組中的一組代表圖案，代表圖案是其示例出現于所述一組圖案中的子群組；經由使用所述一組代表圖案來模擬光學鄰近效應校正過程，獲得與所述一組代表圖案相關聯的參考光學鄰近效應校正數據；和訓練機器學習模型，以基于所述一組代表圖案和一組參考光學鄰近效應校正數據來預測針對所述設計布局的光學鄰近效應校正。