[發(fā)明專利]用于機(jī)器學(xué)習(xí)輔助的光學(xué)鄰近效應(yīng)誤差校正的訓(xùn)練方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080023323.6 | 申請日: | 2020-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN113614638A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 文載寅 | 申請(專利權(quán))人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20;G06N20/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 張啟程 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 機(jī)器 學(xué)習(xí) 輔助 光學(xué) 鄰近 效應(yīng) 誤差 校正 訓(xùn)練 方法 | ||
1.一種確定用于訓(xùn)練機(jī)器學(xué)習(xí)模型以預(yù)測光學(xué)鄰近效應(yīng)校正的代表圖案的方法,所述方法包括:
獲得包括一組圖案群組的設(shè)計(jì)布局,每個(gè)圖案群組包括一個(gè)或更多個(gè)子群組;
確定所述一組圖案群組中的一組代表圖案,所述代表圖案是其實(shí)例出現(xiàn)于所述一組圖案群組中的子群組;
通過使用所述一組代表圖案來模擬光學(xué)鄰近效應(yīng)校正過程,獲得與所述一組代表圖案相關(guān)聯(lián)的參考光學(xué)鄰近效應(yīng)校正數(shù)據(jù);和
基于所述一組代表圖案和一組參考光學(xué)鄰近效應(yīng)校正數(shù)據(jù)來訓(xùn)練機(jī)器學(xué)習(xí)模型,以預(yù)測針對所述設(shè)計(jì)布局的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述圖案群組被布置呈層級結(jié)構(gòu),在所述層級結(jié)構(gòu)中每個(gè)圖案群組包括一個(gè)或更多個(gè)圖案子群組。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中確定所述一組代表圖案是迭代過程,迭代包括:
在所述一組圖案群組的層級結(jié)構(gòu)內(nèi)搜索給定圖案子群組的實(shí)例;
將所述給定子群組的實(shí)例分類為所述代表圖案;和
從所述設(shè)計(jì)布局提取與所述代表圖案相關(guān)聯(lián)的圖案信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述一組圖案群組中的每個(gè)群組與第一標(biāo)識符相關(guān)聯(lián),并且一個(gè)或更多個(gè)圖案子群組與第二標(biāo)識符相關(guān)聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中確定所述一組代表圖案包括:
將與給定子群組相關(guān)聯(lián)的第二標(biāo)識符與所述一組圖案中的每個(gè)群組的層級結(jié)構(gòu)內(nèi)的標(biāo)識符進(jìn)行比較;和
基于所述比較,識別所述一組圖案群組內(nèi)的具有相同的第二標(biāo)識符的圖案子群組的實(shí)例;和
將所述給定子群組的實(shí)例分類為所述代表圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中獲得所述參考光學(xué)鄰近效應(yīng)校正包括:
使用與所述代表圖案相關(guān)聯(lián)的圖案信息來模擬所述光學(xué)鄰近效應(yīng)校正過程;和
提供與代表圖案相關(guān)聯(lián)的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正,以用于圖案化過程。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中針對圖案子群組的搜索未直接將給定圖案子群組的形狀和大小與所述一組圖案群組內(nèi)的圖案形狀和大小進(jìn)行比較。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述光學(xué)鄰近效應(yīng)校正包括放置與所述設(shè)計(jì)布局的期望圖案相關(guān)聯(lián)的輔助特征。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述光學(xué)鄰近效應(yīng)校正呈圖像的形式,并且所述訓(xùn)練基于所述圖像或所述圖像的像素?cái)?shù)據(jù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中所述圖像是連續(xù)傳輸掩模(CTM)圖像和/或輔助特征引導(dǎo)映射圖,其中所述CTM圖像和所述輔助特征引導(dǎo)映射圖提供與所述一組代表圖案相關(guān)聯(lián)的輔助特征的部位,和/或
其中所述輔助特征引導(dǎo)映射圖由基于模型的OPC模擬、或基于規(guī)則的OPC模擬而被產(chǎn)生。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
經(jīng)由訓(xùn)練后的機(jī)器學(xué)習(xí)模型,確定與給定設(shè)計(jì)布局相關(guān)聯(lián)的掩模圖案數(shù)據(jù);
輸出待在圖案化過程中使用以對襯底進(jìn)行成像的掩模圖案數(shù)據(jù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,還包括:
經(jīng)由使用所述掩模圖案數(shù)據(jù)的掩模制作設(shè)備,制造待在所述圖案化過程中使用以對所述襯底進(jìn)行成像的掩模;和/或
其中所述掩模圖案數(shù)據(jù)包括所述圖案化過程對過程參數(shù)中的一個(gè)或更多個(gè)進(jìn)行調(diào)整所針對的特性,所述過程參數(shù)包括劑量、焦距、照射強(qiáng)度和/或照射光瞳。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
經(jīng)由與訓(xùn)練機(jī)器學(xué)習(xí)模型協(xié)同而模擬過程模型,確定與所述給定設(shè)計(jì)布局的期望圖案相關(guān)聯(lián)的過程條件;和
經(jīng)由根據(jù)采用與所述設(shè)計(jì)布局相對應(yīng)的掩模的過程條件而配置的光刻設(shè)備,對襯底進(jìn)行曝光。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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