[發(fā)明專利]光學(xué)元件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080022223.1
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN113614630A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 平野智也
• 申請（專利權(quán)）人: 斯坦雷電氣株式會社
• 主分類號: G02F1/155
• 分類號: G02F1/155;G02F1/1506
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 蔡麗娜;朱麗娟

實施例的光學(xué)元件至少具有：在下側(cè)基板的表面以鋪設(shè)的方式設(shè)置的多個下側(cè)電極，所述下側(cè)電極至少包括在該下側(cè)基板的面內(nèi)的第一方向上排列且相鄰的第一下側(cè)電極部及第二下側(cè)電極部；在上側(cè)基板的表面以鋪設(shè)的方式設(shè)置的多個上側(cè)電極，所述下側(cè)電極至少包括與所述第一下側(cè)電極部相面對的第一上側(cè)電極部、和與所述第一下側(cè)電極部的一部分及所述第二下側(cè)電極部相面對的第二上側(cè)電極部；以及導(dǎo)通部件，其被所述第一下側(cè)電極部和所述第二上側(cè)電極部所夾持，將該第一下側(cè)電極部和該第二上側(cè)電極部電連接，所述導(dǎo)通部件被選擇性地配置于在投影到與所述下側(cè)基板或所述上側(cè)基板平行的假想平面上時所述第一下側(cè)電極部和所述第二上側(cè)電極部重疊的重疊區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及能夠切換至少2種光學(xué)狀態(tài)的光學(xué)元件。

背景技術(shù)

提出了能夠切換光學(xué)狀態(tài)的光學(xué)元件。

在日本特開2012-181389號公報中公開了所謂的電沉積元件。電沉積元件主要具有相對配置的一對透明電極和被該一對透明電極夾持的電解質(zhì)層，所述電解質(zhì)層含有包含銀的電沉積材料。

電解質(zhì)層大致透明，在穩(wěn)定時(無電壓施加時)，電沉積元件成為透明狀態(tài)。若在一對透明電極間施加電壓，則通過電化學(xué)反應(yīng)(氧化·還原反應(yīng))，電解質(zhì)層的電沉積材料(銀)在電極上析出·堆積。在平坦的電極的表面析出·堆積的電沉積材料構(gòu)成鏡面，電沉積元件成為鏡面(光反射)狀態(tài)。

在日本特開2007-134143號公報中公開了所謂的電化學(xué)發(fā)光(Electrochemicalluminescence)元件。具有一對基板及被透明電極夾持的包含電化學(xué)發(fā)光材料的層。通過由電壓的施加產(chǎn)生的陽離子自由基和陰離子自由基的激發(fā)和失活而產(chǎn)生發(fā)光。

在日本特開2004-170613號公報和日本特表2005-521103號公報中公開了所謂的電致變色(Electrochromic)元件。具有一對基板和由透明電極夾持的包含電致變色材料的層。通過電壓的施加，電致變色材料通過電化學(xué)反應(yīng)而改變分子結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生變色。

發(fā)明內(nèi)容

在利用了電化學(xué)反應(yīng)的光學(xué)元件中，若元件尺寸變大，則通常其光學(xué)特性根據(jù)位置而波動。

本發(fā)明的主要目的在于提供一種在元件面內(nèi)具有均勻的光學(xué)特性的光學(xué)元件。

根據(jù)本發(fā)明的主要觀點，提供一種光學(xué)元件，其具有：相對配置的下側(cè)基板以及上側(cè)基板；在所述下側(cè)基板的與所述上側(cè)基板相對的面上以鋪設(shè)的方式設(shè)置的多個下側(cè)電極，所述下側(cè)電極至少包括在該下側(cè)基板的面內(nèi)的第一方向上排列且相鄰的第一下側(cè)電極部及第二下側(cè)電極部；在所述上側(cè)基板的與所述下側(cè)基板相對的面上以鋪設(shè)的方式設(shè)置的多個上側(cè)電極，所述下側(cè)電極至少包括與所述第一下側(cè)電極部相面對的第一上側(cè)電極部、和與所述第一下側(cè)電極部的一部分及所述第二下側(cè)電極部相面對的第二上側(cè)電極部；導(dǎo)通部件，其被所述第一下側(cè)電極部和所述第二上側(cè)電極部所夾持，將該第一下側(cè)電極部和該第二上側(cè)電極部電連接，所述導(dǎo)通部件被選擇性地配置于在投影到與所述下側(cè)基板或所述上側(cè)基板平行的假想平面上時所述第一下側(cè)電極部和所述第二上側(cè)電極部重疊的重疊區(qū)域；以及電解質(zhì)層，其被填充在所述下側(cè)基板與所述上側(cè)基板之間。

根據(jù)本發(fā)明，能夠得到在元件面內(nèi)具有均勻的光學(xué)特性的光學(xué)元件。

附圖說明

圖1A～圖1C是表示參考例的電沉積(Electro deposition)元件的俯視圖以及剖視圖。

圖2A～圖2C是表示第一實施例的電沉積元件的俯視圖以及剖視圖。

圖3A～圖3C是表示第二實施例的電沉積元件的俯視圖以及剖視圖。

圖4A～圖4D是表示第二實施例的電沉積元件的變形例的俯視圖以及剖視圖。

圖5A以及圖5B是示出第三實施例的電沉積元件的俯視圖以及剖視圖。