[發(fā)明專利]光學(xué)元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080022223.1
• 申請(qǐng)日: 2020-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN113614630A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平野智也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 斯坦雷電氣株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/155
• 分類號(hào): G02F1/155;G02F1/1506
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 蔡麗娜;朱麗娟

1.一種光學(xué)元件，其具有：

相對(duì)配置的下側(cè)基板以及上側(cè)基板；

在所述下側(cè)基板的與所述上側(cè)基板相對(duì)的面上以鋪設(shè)的方式設(shè)置的多個(gè)下側(cè)電極，所述下側(cè)電極至少包括在該下側(cè)基板的面內(nèi)的第一方向上排列且相鄰的第一下側(cè)電極部及第二下側(cè)電極部；

在所述上側(cè)基板的與所述下側(cè)基板相對(duì)的面上以鋪設(shè)的方式設(shè)置的多個(gè)上側(cè)電極，所述上側(cè)電極至少包括與所述第一下側(cè)電極部相面對(duì)的第一上側(cè)電極部、和與所述第一下側(cè)電極部的一部分及所述第二下側(cè)電極部相面對(duì)的第二上側(cè)電極部；

導(dǎo)通部件，其被所述第一下側(cè)電極部和所述第二上側(cè)電極部所夾持，將該第一下側(cè)電極部和該第二上側(cè)電極部電連接，所述導(dǎo)通部件被選擇性地配置于在投影到與所述下側(cè)基板或所述上側(cè)基板平行的假想平面上時(shí)所述第一下側(cè)電極部和所述第二上側(cè)電極部重疊的重疊區(qū)域；以及

電解質(zhì)層，其被填充在所述下側(cè)基板與所述上側(cè)基板之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其中，

所述光學(xué)元件還具有低電阻部件，所述低電阻部件被配置在所述第一下側(cè)電極部與所述導(dǎo)通部件之間、以及所述第二上側(cè)電極部與所述導(dǎo)通部件之間，且具有比該第一下側(cè)電極以及該第二上側(cè)電極低的電阻率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)元件，其中，

所述低電阻部件在所述第一下側(cè)電極部與所述第二上側(cè)電極部重疊的重疊區(qū)域內(nèi)以沿與所述第一方向交叉的第二方向伸長(zhǎng)的方式設(shè)置，與形成有所述導(dǎo)通部件的位置相比，未形成有該導(dǎo)通部件的位置形成得較細(xì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件，其中，

所述光學(xué)元件還具有第一電化學(xué)層，所述第一電化學(xué)層形成于所述下側(cè)電極的表面，且光學(xué)狀態(tài)根據(jù)是處于氧化狀態(tài)還是處于還原狀態(tài)而發(fā)生變化。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)元件，其中，

所述光學(xué)元件還具有第二電化學(xué)層，所述第二電化學(xué)層形成于所述上側(cè)電極的表面，且光學(xué)狀態(tài)根據(jù)是處于氧化狀態(tài)還是處于還原狀態(tài)而發(fā)生變化。