[發明專利]半導體裝置、半導體裝置的制造方法及打線接合裝置在審
| 申請號: | 202080020658.2 | 申請日: | 2020-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN113574642A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 関根直希;樸善基 | 申請(專利權)人: | 株式會社新川 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊文娟;臧建明 |
| 地址: | 日本東京武藏村山市伊奈平二丁*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 接合 | ||
半導體裝置10包括:電路基板11,包含電極墊13;半導體芯片12,包含對電極墊13電性連接的電極墊14;以及導線20,一端連接于電極墊13,另一端連接于電極墊14。導線20具有:第一導線部24,沿著電極墊13延伸,一部分被按壓而與電極墊13電性接合;第二導線部26,以不接觸第一導線部24的方式,沿與電極墊13交叉的方向延伸;第三導線部27,向電極墊13延伸;第一彎曲部28,將第一導線部24連接于第二導線部26;以及第二彎曲部29,將第二導線部26連接于第三導線部27。
技術領域
本發明涉及一種半導體裝置、半導體裝置的制造方法及打線接合裝置。
背景技術
設于電路基板的電極通過金屬制的極細導線而電性連接于設于電路基板的半導體芯片的電極。此種連接技術被稱為所謂的打線接合。作為打線接合的一種的楔形接合(wedge bonding)在將導線按壓于電極的狀態下賦予熱及超聲波等能量,由此將導線物理及電性連接于電極。例如,專利文獻1、專利文獻2公開與楔形接合有關的技術。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2007-273991號公報
專利文獻2:日本專利特開2016-062962號公報
發明內容
發明所要解決的問題
對于導線,要求維持連接于導線的兩端的電極間的電性連接。例如,在導線被切斷的情形及導線自電極剝離的情形時,無法維持電性連接。因此,對于經接合的導線,要求被稱為拉力強度的機械強度。所謂拉力強度,為在將兩端連接于電極的導線拉伸的狀態下,產生導線的切斷或導線與電極的剝離的荷重。
所述技術領域中,期望提高拉力強度。因此,本發明的目的在于提供一種拉力強度經提高的半導體裝置、所述半導體裝置的制造方法、以及制造所述半導體裝置的打線接合裝置。
解決問題的技術手段
本發明的一實施例的半導體裝置包括:第一電極;第二電極,與第一電極電性連接;以及接合導線,一端接合于第一電極,另一端接合于第二電極。接合導線具有:第一導線部,沿著第一電極的表面延伸,一部分被按壓而與第一電極電性接合;第二導線部,以不接觸第一導線部的方式,沿自第一電極的表面立起的方向延伸;第三導線部,向第二電極延伸,端部被按壓而與第二電極電性接合;第一彎曲部,將第一導線部延伸的方向彎曲成第二導線部延伸的方向;以及第二彎曲部,將第二導線部延伸的方向彎曲成第三導線部延伸的方向。
接合導線在接合于第一電極的部位與接合于第二電極的部位之間,設有第一導線部的一部分、第二導線部、第一彎曲部以及第二彎曲部。即,在接合于第一電極的部位與接合于第二電極的部位之間,抽出有充分長度的接合導線。而且,接合導線包含第一彎曲部以及第二彎曲部。進而,接合導線具有沿著第一電極延伸的第一導線部。根據這些結構,在拉應力作用于接合導線時,負荷并未直接作用于接合于第一電極的部位。負荷由第一導線部的一部分、第二導線部、第三導線部、第一彎曲部以及第二彎曲部負擔。這些部位并未如接合于第一電極的部位那樣受到剖面形狀變化那樣的加工,故而至少維持接合導線原本具有的強度。因此,接合導線可提高拉力強度。
所述半導體裝置中,第一導線部也可含有接合部以及延伸部,所述接合部與第一電極電性接合,所述延伸部與接合部及第二導線部連續。延伸部的長度可較接合部的長度更長。根據所述結構,可優選地提高接合導線的拉力強度。
所述半導體裝置的第一彎曲部中,第一導線部延伸的第一方向與第二導線部延伸的第二方向所成的角度也可為90度以下。根據所述結構,可優選地提高接合導線的拉力強度。
所述半導體裝置的第二彎曲部中,第二導線部延伸的第二方向與第三導線部延伸的第三方向所成的角度也可為90度以下。根據所述結構,可優選地提高接合導線的拉力強度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





