[發(fā)明專利]柵極電極布局在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080019866.0 | 申請日: | 2020-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN113614903A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 松本博一;鈴木亮太;佐藤誠 | 申請(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/8238 | 分類號: | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柵極 電極 布局 | ||
1.一種裝置,其包括:
有源區(qū),其被隔離區(qū)環(huán)繞;
虛設(shè)柵極,其在所述隔離區(qū)上方,所述虛設(shè)柵極在第一方向上鄰近于所述有源區(qū)延伸;及
柵極電極,其平行于所述虛設(shè)柵極延伸以越過所述有源區(qū),其中所述柵極電極包括:
第一部分,其在所述有源區(qū)上方,所述第一部分在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一尺寸,
第二部分,其覆蓋所述有源區(qū)與所述隔離區(qū)之間的第一邊界的一部分,所述第二部分在所述第二方向上具有第二尺寸,所述第二尺寸大于所述第一尺寸,及
第三部分,其在所述隔離區(qū)上方,所述第三部分在所述第二方向上具有第三尺寸,所述第三尺寸大于所述第二尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,
其中所述虛設(shè)柵極具有所述隔離區(qū)上方的末端終端,且
其中所述第二與第三部分之間的第二邊界靠近在所述第二方向上從所述虛設(shè)柵極的所述末端終端延伸的線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,
其中所述第二與第三部分之間的所述第二邊界位于在所述第二方向上從所述虛設(shè)柵極的所述末端終端延伸的所述線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中所述第二邊界與所述第一邊界之間的距離小于所述線與所述第一邊界之間的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中所述第二邊界與所述第一邊界之間的距離大于所述線與所述第一邊界之間的距離。
6.一種設(shè)備,其包括:
有源區(qū),其被隔離區(qū)環(huán)繞;及
柵極電極,其在第一方向上延伸以越過所述有源區(qū),其中所述柵極電極包含:
第一部分,其在所述有源區(qū)上方,所述第一部分在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一柵極長度;
第二部分,其在所述隔離區(qū)上方,所述第二部分在所述第二方向上具有第二柵極長度,所述第二柵極長度大于所述第一柵極長度;及
第三部分,其具有與所述第一部分接觸的第一末端及與所述第二部分接觸的與所述第一末端相對的第二末端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中所述第三部分在所述第二方向上具有第三柵極長度,所述第三柵極長度大于所述第一柵極長度且小于所述第二柵極長度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,其中所述第三部分與所述有源區(qū)及所述隔離區(qū)的邊界重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中所述第一部分與所述隔離區(qū)隔離。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中所述第一部分具有沿著所述第二方向的多個第一側(cè),其中第一距離在所述多個所述第一側(cè)之間,
其中所述第二部分具有沿著所述第二方向的多個第二側(cè),其中所述多個第二側(cè)之間的第二距離大于所述第一距離,且
其中所述第三部分具有連接所述第一部分及所述第二部分的多個第三側(cè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其中所述多個第三側(cè)沿著所述第二方向延伸,且具有大于所述第一距離且小于所述第二距離的第三距離。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其中所述多個第三側(cè)中的第三側(cè)連接所述第一側(cè)中的第一側(cè)及所述第二側(cè)中的第二側(cè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其中所述第三側(cè)具有線段的形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其中所述第三側(cè)具有弧的形狀。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





