[發明專利]彈性波裝置

有效

• 申請號: 202080018412.1
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN113519120B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 奧永洋夢
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H9/25
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李國華

1.一種彈性波裝置，具備：

支承基板；

壓電膜；

IDT電極，其設置在所述壓電膜上；以及

能量封閉層，其設置在所述壓電膜與所述支承基板之間，用于將能量封閉在所述壓電膜，

所述能量封閉層具有位于所述壓電膜側的上表面和位于所述支承基板側的下表面，

所述彈性波裝置還具備聲速調整膜，所述聲速調整膜在所述壓電膜與所述支承基板之間的至少一部分設置為在從所述IDT電極的上方俯視時與所述能量封閉層的所述上表面部分重疊，

所述聲速調整膜設置為與所述能量封閉層的所述上表面相接、與所述下表面相接或者所述上表面與所述下表面之間，并且，所述聲速調整膜由與所述壓電膜不同的材料構成，

所述IDT電極具有一對匯流條以及相互交替插入的第一電極指和第二電極指，在將沿彈性波傳播方向觀察時所述第一電極指與所述第二電極指重疊的區域設為交叉區域的情況下，該交叉區域具有在所述第一電極指、第二電極指的延伸方向上位于中央的中央區域和配置在所述中央區域的兩側的邊緣區域，所述聲速調整膜設置為在所述邊緣區域的下方或所述匯流條的下方沿所述彈性波傳播方向延伸。

2.根據權利要求1所述的彈性波裝置，其中，

所述聲速調整膜設置為與所述壓電膜相接。

3.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述IDT電極是標準型的IDT電極。

4.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述能量封閉層具有聲阻抗相對低的低聲阻抗層和聲阻抗相對高的高聲阻抗層，該高聲阻抗層配置在比所述低聲阻抗層靠所述支承基板側的位置。

5.根據權利要求4所述的彈性波裝置，其中，

所述低聲阻抗層與所述高聲阻抗層交替地層疊有多層。

6.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述能量封閉層具有高聲速材料層和由低聲速材料構成的低聲速材料層，

在該高聲速材料層傳播的體波的聲速比在所述壓電膜傳播的彈性波的聲速高，

在該低聲速材料層傳播的體波的聲速比在所述壓電膜傳播的體波的聲速低。

7.根據權利要求6所述的彈性波裝置，其中，

所述支承基板由高聲速材料構成，所述高聲速材料層與所述支承基板由相同的材料一體地構成。

8.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述能量封閉層在所述壓電膜側具有開口部，該開口部位于設置有所述IDT電極的部分的下方。

9.根據權利要求8所述的彈性波裝置，其中，

在所述能量封閉層設置有具有所述開口部的凹部。