[發明專利]接合體、電路基板及半導體裝置

在審

• 申請號: 202080018277.0
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN113508462A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 米津麻紀;末永誠一;藤澤幸子;那波隆之
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝高新材料公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

本發明的實施方式的接合體包含基板、金屬構件及接合層。所述接合層設置在所述基板與所述金屬構件之間。所述接合層包含含碳的第一粒子、含金屬的第一區域和含鈦的第二區域。所述第二區域設置在所述第一粒子與所述第一區域之間。所述第二區域中的鈦的濃度高于所述第一區域中的鈦的濃度。

技術領域

本發明的實施方式涉及接合體、電路基板及半導體裝置。

背景技術

存在經由接合層接合有基板和金屬構件的接合體。期待接合體的接合強度高。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:國際公開WO2011/034075公報

專利文獻2:國際公開WO2018/021472公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明的實施方式提供能夠提高接合的強度的接合體、電路基板及半導體裝置。

用于解決技術問題的手段

實施方式的接合體包含基板、金屬構件及接合層。所述接合層設置在所述基板與所述金屬構件之間。所述接合層包含含碳的第一粒子、含金屬的第一區域和含鈦的第二區域。所述第二區域設置在所述第一粒子與所述第一區域之間。所述第二區域中的鈦的濃度高于所述第一區域中的鈦的濃度。

附圖說明

圖1為表示實施方式的接合體的示意截面圖。

圖2為放大圖1所示接合體的一部分的示意截面圖。

圖3為表示實施方式的接合體的一部分的示意截面圖。

圖4為放大圖3所示接合體的一部分的示意截面圖。

圖5為放大圖3所示接合體的一部分的示意截面圖。

圖6為表示實施方式的接合體的一部分的示意截面圖。

圖7為表示實施方式的接合體的一部分的示意截面圖。

圖8為表示實施方式的接合體的一部分的示意截面圖。

圖9為表示實施方式的接合體的示意截面圖。

具體實施方式

以下，一邊參照附圖一邊說明本發明的各實施方式。

附圖是示意性的或者概念性的，各部分的厚度與寬度的關系、部分之間的大小的比率等并非必須與現實情況相同。即便是表示相同部分時，也有根據附圖、尺寸或比率相互間不同地表示的情況。

在本申請說明書和各圖中，與已經說明過的相同的要素帶有同一符號，詳細的說明適當地省略。

圖1為表示實施方式的接合體的示意截面圖。

如圖1所示，實施方式的接合體100包含基板1、金屬構件2及接合層3。接合層3設置在基板1與金屬構件2之間。

基板1包含選自硅(Si)及鋁(Al)中的至少1個和選自氮(N)、氧(O)及碳(C)中的至少1個。基板1還可以進一步包含鋯(Zr)及氧。基板1例如是陶瓷基板。作為陶瓷基板，可以使用氮化硅基板、氮化鋁基板、氧化鋁基板、含氧化鋯的氧化鋁基板(阿盧西爾高硅耐熱鋁合金基板)或碳化硅基板。

基板1的三點彎曲強度優選為500MPa以上。基板1的三點彎曲強度為500MPa以上時，可以將基板1的厚度減薄至0.4mm以下。作為三點彎曲強度為500MPa以上的陶瓷基板，可舉出氮化硅基板、經高強度化的氮化鋁基板、氧化鋁基板、含氧化鋯的氧化鋁基板、碳化硅基板等。