[發明專利]接合體、電路基板及半導體裝置

在審

• 申請號: 202080018277.0
• 申請日: 2020-08-20
• 公開（公告）號: CN113508462A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 米津麻紀;末永誠一;藤澤幸子;那波隆之
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝高新材料公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種接合體，其具備：

基板；

金屬構件；及

接合層，其為設置在所述基板與所述金屬構件之間的接合層，包含含碳的第一粒子、含金屬的第一區域、和含鈦且設置在所述第一粒子與所述第一區域之間的第二區域，所述第二區域中的鈦的濃度高于所述第一區域中的鈦的濃度。

2.根據權利要求1所述的接合體，其中，所述第二區域中的鈦的濃度高于所述第一粒子中的鈦的濃度。

3.根據權利要求1或2所述的接合體，其中，所述第二區域中的鈦的含有率為50質量％以上。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的接合體，其中，

所述第二區域設置在所述第一粒子的周圍，

所述第二區域包含多個第二粒子，

所述多個第二粒子的至少1個包含鈦。

5.根據權利要求4所述的接合體，其中，所述多個第二粒子的1個的大小小于所述第一粒子的大小。

6.根據權利要求4或5所述的接合體，其中，所述多個第二粒子的所述至少1個包含鈦及氮。

7.根據權利要求4或5所述的接合體，其中，所述多個第二粒子的所述至少1個包含鈦與選自氮及氧中的至少1個的晶體。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的接合體，其中，所述第二區域的厚度為2nm～1μm。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的接合體，其中，設有多個包含所述第一粒子及所述第二區域的粉體，

多個所述粉體的至少2個相互間分離。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的接合體，其中，

所述第一粒子包含第一晶體層，

所述第一晶體層包含碳。

11.根據權利要求10所述的接合體，其中，

所述第一晶體層沿著第一方向設置，

所述第一方向上的所述第一粒子的長度比交叉于所述第一方向的第二方向上的所述第一粒子的長度更長。

12.根據權利要求11所述的接合體，其中，所述第一方向上的所述第一粒子的所述長度為所述第二方向上的所述第一粒子的所述長度的1.2倍～40倍。

13.根據權利要求1～12中任一項所述的接合體，其中，所述第一區域包含含銀的第一部分區域和含銅的第二部分區域。

14.根據權利要求13所述的接合體，其中，所述第二區域與所述第一部分區域相接觸。

15.根據權利要求1～14中任一項所述的接合體，其中，所述第一粒子中設有包含所述金屬的第三區域。

16.根據權利要求1～9中任一項所述的接合體，其中，

所述第一粒子包含含碳的第一層和含碳的第二層，

在所述第一層與所述第二層之間設有包含所述金屬的第三區域。

17.根據權利要求16所述的接合體，其中，所述第三區域包含至少1個與所述基板所含元素相同種類的元素。

18.根據權利要求1～17中任一項所述的接合體，其中，

所述接合層進一步包含第四區域，

所述第四區域包含鈦及氮，

所述第四區域位于所述基板與所述第一區域之間。

19.根據權利要求1～18中任一項所述的接合體，其中，

所述基板包含硅及氮，

所述金屬構件包含銅。