[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法在審
| 申請號: | 202080018051.0 | 申請日: | 2020-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN113543924A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 森弘明 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | B23K26/046 | 分類號: | B23K26/046;B23K26/53;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
基板處理裝置具有:攝像部,其拍攝被保持部保持的所述第一基板;改性部,其針對被所述保持部保持的所述第一基板的內部,沿著作為去除對象的周緣部與中央部之間的邊界照射激光來形成改性層;第一移動部,其使所述保持部和所述攝像部相對地移動;以及控制部,其控制所述保持部、所述攝像部、所述改性部以及所述第一移動部。所述攝像部在針對所述第一基板的多個點進行調焦后拍攝所述第一基板的多個點。所述控制部控制所述保持部、所述攝像部以及所述第一移動部,以一邊使所述保持部和所述攝像部相對地移動一邊進行所述攝像部的調焦以及/或者所述攝像部的拍攝。
技術領域
本公開涉及一種基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術
在專利文獻1中公開了以下內容:通過使在外周部設置有磨粒的圓板狀的磨削工具旋轉,并使磨削工具的至少外周面與半導體晶圓線狀地抵接,來將半導體晶圓的周端部磨削為大致L字狀。半導體晶圓是通過將兩張硅晶圓貼合在一起而制成的。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平9-216152號公報
發明內容
發明要解決的問題
本公開的技術縮短在將基板間接合而成的重合基板中去除一個基板的周緣部的時間。
用于解決問題的方案
本公開的一個方式是一種對將第一基板和第二基板接合而成的重合基板進行處理的基板處理裝置,所述基板處理裝置具有:保持部,其從所述第二基板側保持所述重合基板;攝像部,其拍攝被所述保持部保持的所述第一基板;改性部,其針對被所述保持部保持的所述第一基板的內部,沿著作為去除對象的周緣部與中央部之間的邊界照射激光來形成改性層;第一移動部,其使所述保持部和所述攝像部相對地移動;第二移動部,其使所述保持部和所述改性部相對地移動;以及控制部,其控制所述保持部、所述攝像部、所述改性部、所述第一移動部以及所述第二移動部,其中,所述攝像部在針對所述第一基板的多個點進行調焦后拍攝所述第一基板的多個點,所述控制部控制所述保持部、所述攝像部以及所述第一移動部,以一邊使所述保持部和所述攝像部相對地移動一邊進行所述攝像部的調焦以及/或者所述攝像部的拍攝。
發明的效果
根據本公開,能夠縮短在將基板間接合而成的重合基板中去除一個基板的周緣部的時間。
附圖說明
圖1是示意性地表示本實施方式所涉及的晶圓處理系統的結構的概要的俯視圖。
圖2是表示重合晶圓的結構的概要的側視圖。
圖3是表示重合晶圓的一部分結構的側視圖。
圖4是表示改性裝置的結構的概要的俯視圖。
圖5是表示改性裝置的結構的概要的側視圖。
圖6是表示周緣去除裝置的結構的概要的俯視圖。
圖7是表示周緣去除裝置的結構的概要的側視圖。
圖8是示意性地表示周緣去除裝置的結構的概要的說明圖。
圖9是表示搬送臂的結構的概要的縱剖視圖。
圖10是表示本實施方式所涉及的晶圓處理的主要工序的流程圖。
圖11是本實施方式所涉及的晶圓處理的主要工序的說明圖。
圖12是表示改性處理的主要工序的流程圖。
圖13是改性處理的主要工序的說明圖。
圖14是表示針對顯微相機的升降進行調焦的定時的說明圖。
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