[發明專利]扇出型封裝件密封用片狀預浸料在審
| 申請號: | 202080010903.1 | 申請日: | 2020-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN113348202A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 三宅弘人 | 申請(專利權)人: | 株式會社大賽璐 |
| 主分類號: | C08J5/24 | 分類號: | C08J5/24;B32B27/04;H01L23/29;H01L23/31;C08G59/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 楊薇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 扇出型 封裝 密封 片狀 預浸料 | ||
本發明的目的在于提供扇出型封裝件密封用片狀預浸料、扇出型封裝件及其制造方法,所述扇出型封裝件密封用片狀預浸料能夠形成兼具低線性熱膨脹系數和高柔性、防翹曲性及耐裂紋性優異的固化物,并且在制作重構晶片時不易在密封材料內產生氣泡。本發明的扇出型封裝件密封用片狀預浸料具有貫穿孔和/或凹部。本發明的扇出型封裝件是半導體芯片經上述扇出型封裝件密封用片狀預浸料的固化物密封而成的。本發明的電子設備具備本發明的扇出型封裝件。
技術領域
本發明涉及扇出型封裝件密封用片狀預浸料。本發明主張在2019年1月28日向日本提出申請的日本特愿2019-012599的優先權,將其內容援引于此。
背景技術
扇出型封裝(Fan-Out Package)是包括下述工序的半導體封裝件的制造技術:將單片化后的半導體芯片(die)排列在另外的晶片上、密封而制成重構晶片后,形成再布線層(RDL:Re-Distribution Layer)的工序。
特別是扇出型晶片級封裝件(FOWLP:Fan-out Wafer level packaging),已作為用于實現設備的高功能化及高速化的高密度安裝技術之一而受到矚目。FOWLP可以使封裝件的面積比芯片大,因此具有下述優異的特征:(1)對于高帶寬存儲器(HBM,HighBandwidth Memory)的應用性良好,能夠通過搭載大量芯片而更多地配置連接端子數;(2)能夠制作過模通孔;(3)能夠將不同種芯片收納于同一封裝件,因此能夠實現適于物聯網(IoT,Internet of Things)的高功能化和低成本化;等等。另外,可列舉下述優點:通過RDL的低背化,能夠提高放熱性,實現由布線長度的降低帶來的高速化,從而能夠實現基板的小型化等。因而已作為智能電話用的封裝件而備受矚目。
另外,對于扇出型面板級封裝件(FOPLP:Fan-out panel level packaging)而言,可以通過使工件尺寸大于FOWLP,從而一次性地大量制作封裝件基板,因此,以低成本化為目的,正在積極地進行著研究。然而,隨著工件尺寸的大型化,重構后的芯片基板的翹曲成為問題。該翹曲成為導致芯片基板的破裂、再布線層的精度降低的原因,存在次品率上升的問題。
翹曲的主要原因是:作為有機材料的密封材料的線性熱膨脹系數比作為無機材料的半導體芯片大。為此,已知有以降低有機材料的線性膨脹系數為目的而添加線性膨脹系數小的無機填料來抑制體系整體的線性膨脹的方法(專利文獻1)。然而,如果添加大量的無機填料,則密封材料的熔融粘度顯著上升,可用性降低,因此,為了確保成型性,無機填料的添加量也存在限度。另外,由于密封材料的柔性降低而變硬變脆,也存在對熱沖擊的耐性變弱、容易產生裂紋的問題。進一步,在FOWLP中,可通過過模通孔以三維的方式將芯片復合使用,但也存在制作通孔時由無機填料而引起浮渣的產生、通孔制作需要時間等問題。為了解決這樣的問題,期望柔軟的低線性膨脹材料,但一般而言,柔性與低線性膨脹存在折衷選擇的關系,通過添加無機填料來滿足這兩種特性被認為是非常困難的。
另一方面,以低線性膨脹的纖維狀無紡布等片狀多孔性支撐體為芯材浸滲固化性材料而得到的膜(片狀預浸料)已作為兼具樹脂的柔性和基體纖維的低線性膨脹的材料而被公知(專利文獻2)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2004-56141號公報
專利文獻2:日本特開2018-65892號公報
發明內容
發明所要解決的問題
然而,將纖維狀無紡布作為芯材的預浸料缺乏對于表面的凹凸形狀的追隨性,因此,在通過密封制作重構晶片時容易在密封材料內產生氣泡,存在次品率提高的問題。
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