[發明專利]具有超寬帶性能的多層陶瓷電容器

有效

• 申請號: 202080010347.8
• 申請日: 2020-01-24
• 公開（公告）號: CN113316829B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 瑪麗安·貝羅里尼;杰弗里·A·霍恩;理查德·C·凡納斯汀
• 申請（專利權）人: 京瓷AVX元器件公司
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/012;H01G4/12;H01G4/232;H01G2/22
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 張凱

多層電容器可以包括單片主體，該單片主體包括多個介電層。可以沿第一端設置第一外部端子，并且可以沿電容器的第二端設置第二外部端子。外部端子可以包括沿電容器的底表面延伸的相應底部部分。外部端子的底部部分可以以底部外部端子間隔距離間隔開。底部屏蔽電極可以布置在電容器的多個有源電極與底表面之間的單片主體內。底部屏蔽電極可以與電容器的底表面以底部屏蔽到底部的距離間隔開，該底部屏蔽到底部的距離可以在約3微米到約100微米的范圍內。電容器的長度與底部外部端子間隔距離的比率可以小于約4。

相關申請的交叉引用

本申請要求申請日為2019年1月28日的美國臨時專利申請序列號62/797,542的申請權益，該美國臨時專利申請的全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及具有超寬帶性能的多層陶瓷電容器。

背景技術

現代技術應用的多樣性產生了對高效電子元件和用于其中的集成電路的需求。電容器是用于濾波、耦合、旁路和此類現代應用的其他方面的基本元件，這些現代應用可包括無線通信、警報系統、雷達系統、電路切換、匹配網絡和許多其他應用。集成電路的速度和封裝密度的急劇增加尤其需要耦合電容器技術的進步。當高電容耦合電容器受到許多當前應用的高頻影響時，性能特性變得越來越重要。由于電容器是如此廣泛的應用的基礎，因此電容器的精度和效率是必要的。因此，電容器設計的許多特定方面已是改進電容器的性能特征的重點。

發明內容

根據本發明的一個實施方案，寬帶多層陶瓷電容器(broadband?multilayerceramic?capacitor)可以具有第一端和第二端，所述第二端在縱向方向上與所述第一端間隔開。所述縱向方向可以垂直于橫向方向，并且所述橫向方向和所述縱向方向可以各自垂直于Z方向。所述電容器可以包括頂表面和底表面，所述底表面在所述Z方向上與所述頂表面相反。所述寬帶多層陶瓷電容器可以包括單片主體，所述單片主體包括在所述Z方向上堆疊的多個介電層。多個有源電極可以布置在所述單片主體內。可以沿所述第一端設置第一外部端子。所述第一外部端子可以包括沿所述電容器的所述底表面延伸的底部部分。可以沿所述第二端設置第二外部端子。所述第二外部端子可以包括沿所述電容器的所述底表面延伸的底部部分。所述第一外部端子的所述底部部分和所述第二外部端子的所述底部部分可以在所述縱向方向上以底部外部端子間隔距離(bottom?external?terminal?spacingdistance)間隔開。所述電容器可以包括布置在所述電容器的所述多個有源電極與所述底表面之間的所述單片主體內的底部屏蔽電極。所述底部屏蔽電極可以與所述電容器的所述底表面以底部屏蔽到底部的距離(bottom-shield-to-bottom?distance)間隔開。所述底部屏蔽到底部的距離可以在從約3微米到約100微米的范圍內。所述電容器可以在所述電容器的所述第一端與所述第二端之間、在所述縱向方向上具有電容器長度。所述電容器長度與所述底部外部端子間隔距離的比率可以小于約4。