[發明專利]具有超寬帶性能的多層陶瓷電容器

有效

• 申請號: 202080010347.8
• 申請日: 2020-01-24
• 公開（公告）號: CN113316829B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 瑪麗安·貝羅里尼;杰弗里·A·霍恩;理查德·C·凡納斯汀
• 申請（專利權）人: 京瓷AVX元器件公司
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/012;H01G4/12;H01G4/232;H01G2/22
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 張凱

1.一種寬帶多層陶瓷電容器，其具有第一端和第二端，所述第二端在與橫向方向垂直的縱向方向上與所述第一端間隔開，所述橫向方向和所述縱向方向各自垂直于Z方向，并且其中，所述電容器包括頂表面和底表面，所述底表面在所述Z方向上與所述頂表面相反，所述寬帶多層陶瓷電容器包括：

單片主體，其包括在所述Z方向上堆疊的多個介電層；

多個有源電極，其布置在所述單片主體內；

第一外部端子，其沿所述第一端設置，所述第一外部端子包括沿所述電容器的所述底表面延伸的底部部分；

第二外部端子，其沿所述第二端設置，所述第二外部端子包括沿所述電容器的所述底表面延伸的底部部分，所述第一外部端子的所述底部部分和所述第二外部端子的所述底部部分在所述縱向方向上以底部外部端子間隔距離間隔開；

底部屏蔽電極，其布置在所述電容器的所述多個有源電極與所述底表面之間的所述單片主體內，所述底部屏蔽電極與所述電容器的所述底表面以底部屏蔽到底部的距離間隔開；

其中：

所述底部屏蔽到底部的距離在從3微米到100微米的范圍內，

所述電容器在所述電容器的所述第一端與所述第二端之間、在所述縱向方向上具有電容器長度，

所述電容器長度與所述底部外部端子間隔距離的比率小于4，

所述底部屏蔽電極與所述第一外部端子連接，

所述底部屏蔽電極具有第一縱向邊緣，所述第一縱向邊緣與所述橫向方向對齊且背離所述第一外部端子，

所述底部屏蔽電極具有第二縱向邊緣，所述第二縱向邊緣與所述橫向方向對齊且背離所述第一外部端子，并且

所述第二縱向邊緣在所述縱向方向上從所述第一縱向邊緣以屏蔽電極偏移距離偏移。

2.根據權利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中：

所述第一外部端子包括沿所述電容器的所述頂表面延伸的頂部部分；

所述第二外部端子包括沿所述電容器的所述頂表面延伸的頂部部分；并且

所述第一外部端子的所述頂部部分和所述第二外部端子的所述頂部部分在所述縱向方向上以頂部外部端子間隔距離間隔開，所述頂部外部端子間隔距離等于所述底部外部端子間隔距離。

3.根據權利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述單片主體包括介電材料，并且其中，所述介電材料沿所述電容器的所述底表面暴露在所述第一外部端子的所述底部部分與所述第二外部端子的所述底部部分之間。

4.根據權利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其還包括位于所述電容器的所述多個有源電極與所述頂表面之間的頂部屏蔽電極。

5.根據權利要求4所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中：

所述頂部屏蔽電極與所述電容器的所述頂表面以頂部屏蔽到頂部的距離間隔開；并且

所述頂部屏蔽到頂部的距離與所述底部屏蔽到底部的距離的比率在0.8與1.2之間。

6.根據權利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，所述電容器的厚度與所述底部屏蔽到底部的距離的比率大于2。

7.根據權利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其還包括在所述Z方向上與所述底部屏蔽電極對齊的附加底部屏蔽電極，并且所述附加底部屏蔽電極與所述第二外部端子連接。

8.根據權利要求1所述的寬帶多層陶瓷電容器，其還包括附加底部屏蔽電極，所述附加底部屏蔽電極與所述第二外部端子連接并且在所述Z方向上與所述底部屏蔽電極對齊，并且其中：

所述附加底部屏蔽電極具有與所述橫向方向對齊且背離所述第二外部端子的第一縱向邊緣；

所述附加底部屏蔽電極具有與所述橫向方向對齊且背離所述第二外部端子的第二縱向邊緣；并且

所述附加底部屏蔽電極的所述第二縱向邊緣在所述縱向方向上從所述附加底部屏蔽電極的所述第一縱向邊緣以所述屏蔽電極偏移距離偏移。

9.根據權利要求8所述的寬帶多層陶瓷電容器，其中，在所述底部屏蔽電極的所述第一縱向邊緣與所述附加底部屏蔽電極的所述第一縱向邊緣之間、在所述縱向方向上形成第一屏蔽間隙距離。