[發明專利]發光二極管及其制備方法在審

申請號：	202080007265.8	申請日：	2020-06-10
公開（公告）號：	CN113614933A	公開（公告）日：	2021-11-05
發明（設計）人：	莊文榮;孫明;付小朝;盧敬權	申請（專利權）人：	東莞市中麒光電技術有限公司
主分類號：	H01L33/06	分類號：	H01L33/06;H01L33/00
代理公司：	北京品源專利代理有限公司 11332	代理人：	蔣黎麗;胡彬
地址：	523000 廣東***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	發光二極管及其制備方法
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【說明書】：

一種發光二極管及其制備方法，該發光二極管包括：第一型層(101)、發光層、第二型層(104)和電極層；第一型層(101)包括第一型氮化鎵；發光層位于所述第一型層(101)之上；所述發光層包括量子點(1031)；第二型層(104)位于所述發光層之上；所述第二型層(104)包括第二型氮化鎵或氧化銦錫；電極層(105)位于所述第二型層(104)之上。

技術領域

本申請實施例涉及半導體技術領域，例如一種發光二極管及其制備方法。

背景技術

在顯示技術的發展過程中，一直在追求以下方面的性能提升，如大尺寸、能耗、響應速度、色域、分辨率、亮度及可靠性等。在相關顯示技術中，液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)具有尺寸優勢，得到大規模普及。有機發光二極管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)由于具有能耗、色域及柔性優勢，在小尺寸顯示，如手機、平板電腦也得到大規模應用，但其在大尺寸方面，如電視，由于成本及可靠性原因并未得到大規模普及。

在下一代的顯示技術中，具有較好應用前景的包括兩種發光器件，一種是微型LED(Micro LED)，一種是量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)。其中，Micro LED在亮度、對比度、響應速度、色域、壽命、能耗等方面具有優勢。但受到外延及芯片工藝影響，Micro LED在光學及電學特性方面的一致性較差。由于量子點的窄帶寬發射，應用量子點的電致發光器件尤其是大尺寸商用量子點主動顯示亦是有前景的顯示技術。其中QLED作為量子點主動顯示中最基本的單元，近些年已經被廣泛研究，以獲得更好的色彩質量和效率，并且整體性能在過去幾年中得到了穩步提高。

然而，在相關的量子點發光技術中，不管是光致發光還是電致發光，均難以避免水汽和氧氣對量子點的性能及壽命影響。

發明內容

本申請實施例提供一種發光二極管及其制備方法，以提升發光二極管的光學及電學一致性，以及增強發光二極管隔絕水汽和氧氣的能力。

第一方面，本申請實施例提供了一種發光二極管，所述發光二極管包括：

第一型層，包括第一型氮化鎵；

發光層，位于所述第一型層之上；所述發光層包括量子點；

第二型層，位于所述發光層之上；所述第二型層包括第二型氮化鎵；

電極層，位于所述第二型層之上。第二方面，本申請實施例提供了一種發光二極管的制備方法，所述發光二極管的制備方法包括：

提供第一型基板，所述第一型基板包括襯底和第一型層，所述第一型層包括第一型氮化鎵；

在所述第一型基板的第一型層上形成發光層；所述發光層包括量子點；

在所述發光層上形成第二型層；所述第二型層包括第二型氮化鎵；

在所述第二型層上形成電極層。