[發明專利]發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202080007265.8
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN113614933A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 莊文榮;孫明;付小朝;盧敬權
• 申請（專利權）人: 東莞市中麒光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 蔣黎麗;胡彬

1.一種發光二極管，包括：

第一型層，包括第一型氮化鎵；

發光層，位于所述第一型層之上；所述發光層包括量子點；

第二型層，位于所述發光層之上；所述第二型層包括第二型氮化鎵；

電極層，位于所述第二型層之上。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述第二型層的厚度范圍為20nm-300nm。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述發光層包括單層量子點層。

4.根據權利要求3所述的發光二極管，其中，所述單層量子點層發紅光、綠光和藍光中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述發光層包括超晶格量子阱層和量子點層的復合結構。

6.根據權利要求5所述的發光二極管，其中，所述超晶格量子阱層發藍光；所述量子點層發紅光和綠光中的至少一種。

7.根據權利要求3或5所述的發光二極管，其中，所述量子點層的厚度范圍為2nm-20μm。

8.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述電極層包括氧化銦錫ITO。

9.根據權利要求1所述的發光二極管，還包括：

黑矩陣，位于所述第一型層和所述第二型層之間；所述黑矩陣包括第一窗口，所述發光層位于所述第一窗口內；

絕緣層，覆蓋所述電極層的上表面、所述電極層的側表面和所述第二型層的側表面。

10.根據權利要求9所述的發光二極管，其中，所述絕緣層包括第二窗口，所述黑矩陣包括第三窗口；

所述發光二極管還包括：

第一電極，位于所述第二窗口內；

第二電極，位于所述第三窗口內。

11.一種發光二極管的制備方法，包括：

提供第一型基板，所述第一型基板包括第一型層或所述第一型基板包括襯底和所述第一型層，所述第一型層包括第一型氮化鎵；

在所述第一型基板的第一型層上形成發光層；所述發光層包括量子點；

在所述發光層上形成第二型層；所述第二型層包括第二型氮化鎵；

在所述第二型層上形成電極層。

12.根據權利要求11所述的發光二極管的制備方法，其中，所述發光層包括單層量子點層；在所述第一型基板的第一型層上形成發光層的工藝包括：

通過旋涂工藝、印刷工藝、轉印工藝或物理氣相沉積工藝將所述單層量子點層形成在所述第一型層上。

13.根據權利要求11所述的發光二極管的制備方法，其中，所述發光層包括超晶格量子阱層和量子點層的復合結構；在所述第一型基板的第一型層上形成發光層的工藝包括：

通過金屬有機化合物化學氣相沉積MOCVD工藝將所述超晶格量子阱層形成在所述第一型層上；

通過旋涂工藝、印刷工藝、轉印工藝或物理氣相沉積工藝將所述量子點層形成在所述超晶格量子阱層上。

14.根據權利要求12或13所述的發光二極管的制備方法，其中，所述旋涂工藝、印刷工藝、轉印工藝或物理氣相沉積工藝的執行次數為至少一次。

15.根據權利要求11所述的發光二極管的制備方法，在所述第一型基板的第一型層上形成發光層之前，還包括：

在所述第一型基板上形成黑矩陣；所述黑矩陣包括多個間隔設置的第一窗口，所述發光層形成在所述第一窗口內。