[發明專利]熱固性樹脂膜、第一保護膜形成用片、套件、及帶第一保護膜的工件加工物的制造方法在審
| 申請號: | 202080006593.6 | 申請日: | 2020-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN113169082A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 四宮圭亮 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;謝順星 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱固性 樹脂 第一 保護膜 形成 套件 工件 加工 制造 方法 | ||
本發明為一種熱固性樹脂膜,其為通過貼附于工件的具有凸狀電極的面上并使其熱固化從而用于在所述面上形成第一保護膜的熱固性樹脂膜,將所述熱固性樹脂膜貼附在厚度為35μm、直徑為8英寸的圓形銅箔上,在平坦的狀態下使所述銅箔朝下,使所述熱固性樹脂膜熱固化并自然冷卻后的、整個圓周的最大翹曲量為20mm以下。
技術領域
本發明涉及熱固性樹脂膜、第一保護膜形成用片、套件及帶第一保護膜的工件加工物的制造方法。
本申請基于2019年3月27日于日本提出申請的日本特愿2019-061707號主張優先權,并將其內容援用于此。
背景技術
至今為止,將用于MPU或門陣列等的多引腳LSI封裝安裝于印刷布線基板時,采用倒裝芯片(Flip chip)安裝方法,該安裝方法中,使用具備凸狀電極(例如,凸點(bump)、小柱等)的工件(例如,半導體晶圓等),通過所謂的倒裝方式,使工件加工物(例如,作為半導體晶圓分割物的半導體芯片等)中的凸狀電極與基板上相對應的端子部相對、接觸,進行熔融/擴散接合。
在采用該安裝方法時,以保護工件的電路面及凸狀電極為目的,有時將固化性樹脂膜貼附于凸狀電極的表面和工件的電路面,并使該膜固化,從而在這些面上形成保護膜。
另外,在本說明書中,有時將凸狀電極的表面與工件或工件加工物的電路面的組合稱為“凸狀電極形成面”。
固化性樹脂膜通常以經加熱而軟化的狀態貼附在工件的凸狀電極形成面上。由此,凸狀電極的包括頂部的上部貫穿固化性樹脂膜,并從固化性樹脂膜中突出。另一方面,固化性樹脂膜以覆蓋工件的凸狀電極的方式在凸狀電極之間漫延,與電路面密合,且同時覆蓋凸狀電極的表面、特別是電路面附近部位的表面,從而填埋凸狀電極。然后,通過進一步固化固化性樹脂膜,進而覆蓋工件的電路面和凸狀電極的電路面附近部位的表面,形成保護這些區域的保護膜(在本說明書中,有時稱為“第一保護膜”)。
在使用半導體晶圓時,該安裝方法中所使用的半導體芯片例如可通過對電路面上形成有凸狀電極的半導體晶圓的與所述電路面為相反側的面進行研磨,并切割、分割而獲得。
在這樣的獲得半導體芯片的過程中,通常以保護半導體晶圓的電路面以及凸狀電極為目的,將固化性樹脂膜貼附于凸狀電極形成面,并使該固化性樹脂膜固化,從而在凸狀電極形成面上形成第一保護膜。有時將這里獲得的半導體晶圓稱為“帶第一保護膜的半導體晶圓”。
進一步,帶第一保護膜的半導體晶圓被分割,最終形成在凸狀電極形成面上具備保護膜的半導體芯片(在本說明書中,有時稱為“帶第一保護膜的半導體芯片”)(參考專利文獻1)。
將這種在凸狀電極形成面上具備第一保護膜的工件加工物(在本說明書中,有時稱為“帶第一保護膜的工件加工物”)進一步搭載于基板上而形成封裝(package),并進一步使用該封裝構成目標裝置。當將帶第一保護膜的半導體芯片搭載在基板上時,可以使用由此得到的半導體封裝構成目標半導體裝置。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:國際公開第2017/078056號
發明內容
本發明要解決的技術問題
以專利文獻1公開的方法為首,當使用以往的固化性樹脂膜時,在將固化性樹脂膜貼附于半導體晶圓的凸狀電極形成面,然后使其熱固化從而在半導體晶圓的凸狀電極形成面上形成保護膜的過程中,有時在半導體晶圓上產生翹曲。如此,若在半導體晶圓上產生翹曲,則例如在利用真空裝置對半導體晶圓進行抽吸時會發生漏氣,因此在采用基于真空方式的搬運設備的半導體芯片的制造工序等中,存在對半導體晶圓的搬運帶來障礙等問題。
因此,本發明的目的在于提供一種熱固性樹脂膜,其可形成用于保護晶圓形狀的工件或工件加工物的凸狀電極形成面的第一保護膜,將該熱固性樹脂膜貼附于工件的具有凸狀電極的面并使其熱固化而形成第一保護膜時,能夠以抑制晶圓形狀的工件的翹曲的狀態良好地形成第一保護膜。
解決技術問題的技術手段
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





