[發明專利]磷化銦基板、半導體外延晶片以及磷化銦基板的制造方法

在審

• 申請號: 202080006107.0
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN113207309A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 岡俊介;栗田英樹;鈴木健二
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

本發明提供一種良好地抑制基板背面的翹曲的磷化銦基板、半導體外延晶片以及磷化銦基板的制造方法。磷化銦基板是具有用于形成外延晶體層的主面和主面的相反側的背面的磷化銦基板，在使磷化銦基板的背面朝上的狀態下測定出的、背面的SORI值為2.5μm以下。

技術領域

本發明涉及一種磷化銦基板、半導體外延晶片以及磷化銦基板的制造方法。

背景技術

磷化銦(InP)是由III族的銦(In)和V族的磷(P)構成的III－V族化合物半導體材料。作為半導體材料的特性，具有如下特性：帶隙為1.35eV，電子遷移率為～5400cm²/V·s，高電場下的電子遷移率成為比硅、砷化鎵這樣其他普通的半導體材料高的值。此外，還具有如下特征：常溫常壓下的穩定的晶體結構為立方晶的閃鋅礦型結構，其晶格常數具有比砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)等化合物半導體大的晶格常數。

成為磷化銦基板的原料的磷化銦的錠通常以規定的厚度被切片并被磨削成所期望的形狀，在被適當地機械研磨后，為了去除研磨屑、因研磨產生的損傷而供于蝕刻、精密研磨(拋光)等。

在磷化銦基板的主面，有時通過外延生長設置外延晶體層(專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003－218033號公報

發明內容

發明所要解決的問題

在實施該外延生長時，通常利用基座(susceptor)從背面側支承磷化銦基板。此時，若磷化銦基板的背面的翹曲大，則基板背面與基座的接觸不均勻。

若基板背面與基座的接觸不均勻，則向基板的熱傳導的面內分布也不均勻，因此外延生長時的基板溫度不均勻。其結果是，產生如下問題：生成的外延晶體層的品質下降，并引起發光波長偏移等半導體外延晶片的性能下降。

本發明是為了解決如上所述的問題而完成的，其目的在于提供一種良好地抑制基板背面的翹曲的磷化銦基板、半導體外延晶片以及磷化銦基板的制造方法。

用于解決問題的方案

本發明在一個實施方式中是一種磷化銦基板，其特征在于，所述磷化銦基板具有用于形成外延晶體層的主面和所述主面的相反側的背面，在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態下測定出的所述背面的SORI值為2.5μm以下。

本發明的磷化銦基板在另一實施方式中，在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態下測定出的、所述背面的SORI值為1.6～2.5μm。

本發明的磷化銦基板在又一實施方式中，在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態下測定出的、所述背面的SORI值為1.6～2.5μm，基板的直徑為100mm以下。

本發明的磷化銦基板在又一實施方式中，在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態下測定出的、所述背面的SORI值為1.6～1.8μm，基板的直徑為76.2mm以下。

本發明的磷化銦基板在又一實施方式中，在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態下測定出的、所述背面的SORI值為1.7μm以下，基板的直徑為50.8mm以下。

本發明在又一實施方式中是一種半導體外延晶片，其在本發明的實施方式的磷化銦基板的所述主面上具備外延晶體層。