[發(fā)明專利]磷化銦基板、半導(dǎo)體外延晶片以及磷化銦基板的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080006107.0
• 申請(qǐng)日: 2020-06-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113207309A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岡俊介;栗田英樹(shù);鈴木健二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: JX金屬株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種磷化銦基板，其特征在于，

所述磷化銦基板具有用于形成外延晶體層的主面和所述主面的相反側(cè)的背面，

在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態(tài)下測(cè)定出的、所述背面的SORI值為2.5μm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化銦基板，其中，

在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態(tài)下測(cè)定出的、所述背面的SORI值為1.6～2.5μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磷化銦基板，其中，

在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態(tài)下測(cè)定出的、所述背面的SORI值為1.6～2.5μm，基板的直徑為100mm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磷化銦基板，其中，

在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態(tài)下測(cè)定出的、所述背面的SORI值為1.6～1.8μm，基板的直徑為76.2mm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化銦基板，其中，

在使所述磷化銦基板的所述背面朝上的狀態(tài)下測(cè)定出的、所述背面的SORI值為1.7μm以下，基板的直徑為50.8mm以下。

6.一種半導(dǎo)體外延晶片，其在權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的磷化銦基板的所述主面上具備外延晶體層。

7.一種權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的磷化銦基板的制造方法，其包括：

利用鋼絲鋸從磷化銦的錠切出晶片的工序；

對(duì)所述切出的晶片進(jìn)行蝕刻的工序；

進(jìn)行所述蝕刻后的晶片的外周部分的倒角的工序；

對(duì)所述倒角后的晶片的至少一個(gè)表面進(jìn)行研磨的工序；以及

對(duì)所述研磨后的晶片進(jìn)行蝕刻的工序，

所述利用鋼絲鋸從磷化銦的錠切出晶片的工序包括：一邊使金屬線在水平方向上往復(fù)一邊始終持續(xù)輸送新線，并且使載有所述磷化銦的錠的載物臺(tái)朝向所述金屬線在鉛垂方向上移動(dòng)的工序，

所述金屬線的新線供給速度為10～60m/分鐘，所述金屬線的往復(fù)速度為300～350m/分鐘，載有所述磷化銦的錠的載物臺(tái)的鉛垂方向移動(dòng)速度為200～400μm/分鐘，所述鋼絲鋸的磨料的粘度為300～400mPa·s，

在對(duì)所述切出的晶片進(jìn)行蝕刻的工序，從兩面合計(jì)只蝕刻5～15μm，

在對(duì)所述研磨后的晶片進(jìn)行蝕刻的工序，從兩面合計(jì)只蝕刻8～15μm。