[發(fā)明專利]使用氫自由基和臭氧氣體的工件處理

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080004313.8
• 申請(qǐng)日: 2020-07-14
• 公開（公告）號(hào): CN112689803B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝挺;仲華;董斌;呂新亮;楊海春;楊曉晅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑪特森技術(shù)公司;北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42
• 代理公司: 北京易光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11596
• 代理人: 崔曉光

提供了一種用于從諸如半導(dǎo)體的工件去除光阻層的工藝。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，一種用于處理工件的方法可包括將工件支撐在工件支撐件上。工件可具有光阻層和低k介電材料層。該方法可包括對(duì)工件進(jìn)行氫自由基刻蝕工藝以去除光阻層的至少一部分。該方法還可包括將工件暴露于臭氧工藝氣體中以去除光阻層的至少一部分。

優(yōu)先權(quán)聲明

本申請(qǐng)要求2019年07月18日提交的名稱為“Processing of Workpieces UsingHydrogen Radicals and Ozone Gas(使用氫自由基和臭氧氣體的工件處理)”的系列號(hào)為62/875,566的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，其通過引用并入本文以用于全部目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開總體上涉及半導(dǎo)體加工。

背景技術(shù)

等離子體去膠工藝(例如，干法去膠工藝)在半導(dǎo)體制造中可用作在半導(dǎo)體制造期間去除在工件上圖案化的光阻和/或其他材料的方法。等離子體去膠工藝可以使用從由一種或多種工藝氣體生成的等離子體中提取的反應(yīng)性物質(zhì)(例如，自由基)，從工件表面刻蝕和/或去除光阻和其他掩模層。例如，在某些等離子體去膠工藝中，來自在遠(yuǎn)程等離子體腔室中生成的等離子體的中性物質(zhì)穿過隔柵進(jìn)入處理腔室。該中性物質(zhì)可以暴露至諸如半導(dǎo)體晶片的工件，以從工件表面去除光阻。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的實(shí)施方式的各方面和優(yōu)點(diǎn)將在以下描述中部分陳述，或可從描述中得知，或可通過實(shí)施方式的實(shí)踐得知。

在本公開的一些方面，提供了用于處理工件的方法。該方法可包括將工件放置在處理腔室中。工件可包括光阻層和低k介電材料層。該方法可包括使用在等離子體腔室中誘導(dǎo)的等離子體由工藝氣體生成一種或多種物質(zhì)。工藝氣體可包括氫氣。該方法可包括過濾一種或多種物質(zhì)以產(chǎn)生過濾混合物。所述過濾混合物可包含一種或多種氫自由基。該方法可包括在處理腔室中使光阻層暴露于氫自由基，使得氫自由基至少部分地刻蝕光阻層。

本公開的一些方面涉及用于處理工件的方法。該方法可包括將工件放置在處理腔室中。工件可包括光阻層和低k介電材料層。該方法可包括允許臭氧工藝氣體進(jìn)入處理腔室，并使工件暴露于臭氧工藝氣體，以使臭氧工藝氣體至少部分地刻蝕光阻層。

參考以下描述和所附權(quán)利要求，各種實(shí)施方式的這些和其他特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將變得更好理解。并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分的附圖闡明了本公開的實(shí)施方式，并且與描述一起用來解釋相關(guān)的原理。

附圖簡(jiǎn)述

參考所附附圖，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員進(jìn)行各實(shí)施方式的詳細(xì)討論，其中：

圖1A和圖1B描繪了根據(jù)常規(guī)技術(shù)的示例性光阻去除工藝；

圖2A和圖2B描繪了根據(jù)本公開示例性實(shí)施方式的示例性光阻去除工藝；

圖3描繪了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的示例性等離子體處理裝置；

圖4描繪了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的示例性光阻去除工藝的示例性流程圖；

圖5描繪了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式使用等離子體后氣體注入示例性生成氫自由基；

圖6描繪了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式使用細(xì)絲示例性生成氫自由基；

圖7描繪了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的示例性等離子體處理裝置；

圖8描繪了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的示例性等離子體處理裝置；

圖9示出了暴露于氫自由基之后的光阻層拋光量(ash amount)；

圖10A和圖10B示出了暴露于氫自由基時(shí)的低k材料層損失；

圖11A和圖11B示出了暴露于臭氧工藝氣體之后的光阻拋光量；和