[發明專利]使用氫自由基和臭氧氣體的工件處理

有效

• 申請號: 202080004313.8
• 申請日: 2020-07-14
• 公開（公告）號: CN112689803B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 謝挺;仲華;董斌;呂新亮;楊海春;楊曉晅
• 申請（專利權）人: 瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京易光知識產權代理有限公司 11596
• 代理人: 崔曉光

1.一種處理工件的方法，所述方法包括：

將工件放置在處理腔室中，所述工件包括光阻層和低k介電材料層；

使用在等離子體腔室中誘導的等離子體由工藝氣體生成一種或多種物質，所述工藝氣體包括氫氣；

過濾一種或多種物質以產生過濾混合物，所述過濾混合物包含一種或多種氫自由基；

在處理腔室中將所述光阻層暴露于氫自由基，使得氫自由基至少部分地刻蝕所述光阻層；

允許臭氧工藝氣體進入處理腔室；并將工件暴露于所述臭氧工藝氣體；和

交替地將所述工件暴露于所述一種或多種氫自由基，以及使所述工件暴露于臭氧工藝氣體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述工藝氣體進一步包括含氧氣體。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述工藝氣體中氫氣的濃度為約30體積％至約100體積％。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述處理腔室和等離子體腔室由隔柵隔開，進一步，其中所述臭氧工藝氣體被允許通過所述隔柵中的一個或多個氣體注入口。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述處理腔室和等離子體腔室由隔柵隔開，進一步，其中允許臭氧工藝氣體進入所述處理腔室包括允許所述臭氧工藝氣體進入所述等離子體腔室并允許所述臭氧工藝氣體通過隔柵流向處理腔室。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，允許所述臭氧工藝氣體通過所述處理腔室中的一個或多個氣體注入口。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述臭氧工藝氣體包括臭氧氣體和氧氣。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述臭氧工藝氣體中的臭氧氣體的濃度在約0.5體積％至約20體積％的范圍內。

9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括將所述工件暴露于稀氫氟酸濕法工藝中。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，使用感應耦合的等離子體源由工藝氣體生成所述一種或多種氫自由基。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，使用鎢絲生成所述一種或多種氫自由基。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，通過將氫氣與等離子體源下游的一種或多種激發的惰性氣體分子混合來生成所述一種或多種氫自由基。